徐現剛

徐現剛

徐現剛,男,山東泰安人,1965年1月生,教授,博士生導師。 1992年獲得山東大學凝聚態物理博士學位,師從於蔣民華院士。2000年留美回國-至今,獲教育部第一批長江計畫的特聘教授,2000年度國家傑出青年科學基金獲得者,973首席科學家,主要從事半導體材料製備及其套用研究的工作。 自1989年至今一直從事MOCVD化合物半導體薄膜材料的生長及器件套用工作,製備出多種量子異質結構材料如量子阱、超晶格、2DEG,多種薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等,套用到多種半導體器件如:半導體雷射器、發光二極體、HBT、HEMT等。積極回響國家號召,踐行產學研結合,服務地方服務山東,把科技創新的成果產業化;自2000年開始SiC單晶生長和加工工作,先後突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的單晶生長技術,解決了超硬SiC單晶襯底的加工難題,製備出基於SiC襯底的GaN超高亮度發光二極體。先後承擔了多項863、973、國家重大專項等課題。 獲得多項表彰和獎勵,如1995年洪堡學者,1998年獲得由IEE頒發的Electronics Letters Premium,1999年在美國獲得由IEEE頒發的Best Paper Award,2000年獲得“國家傑出青年基金”,2003年“山東省科技進步一等獎”、“山東省留學回國創業獎”,2005年獲“山東省十大傑出青年”,2007年獲“政府特殊津貼獎”,2013年獲得“山東省技術發明一等獎”等。任國務院學位委員會委員、國家863計畫半導體照明工程總體專家組專家等等。

基本信息

簡介

2001年1月獲“國家傑出青年基金”獎,2005年11月被教育部聘為“長江學者”特聘教授。享受2007年國務院政府特殊津貼。現任山東大學晶體材料國家重點實驗室副主任。 《人工晶體學報》專業委員,“中國晶體協會”理事山東大學教授,長江學者特聘教授,國家傑出青年基金獲得者。

學習工作經歷

1982年考入山東大學物理系並先後獲得學士、碩士、博士學位。

1992年起任山東大學晶體所講師、副教授,

1995赴德國亞堔大學半導體技術研究所做洪堡學者,

1997年赴加拿大從事博士後/助研,

1999至2000年任美國SEP公司技術部經理。

2000年至今任山東大學晶體材料國家重點實驗室教授,教育部長江學者特聘教授,博士生導師,美國物理學會會員,中國青年材料委員會理事,中國晶體學會理事,“材料科學與工程”雜誌編委;兼任山東華光光電子有限公司總工程師。

主要學術成績

一直從事半導體材料製備及其套用研究的工作,參加國家計委的產業化前期關鍵技術項目,開闢了大直徑SiC單晶襯底製備的研究方向。

製備出650nm可見光半導體雷射器,閾值電流低達8mA,成功轉入產業化生產;製備出808nm有源層無鋁半導體雷射器;2005年製備出高亮度AlGaInP紅色發光二極體,亮度達到150mcd以上,滿足規模生產的要求,達到台灣、美國等國際一流公司的產品水平;採用升華法和最佳化坩鍋設計及溫場分布,在國內成功地生長出直徑大於2英寸的SiC單晶;進行InP/GaAsSb/InP雙異質結晶體三極體研究。在半導體光電材料與器件套用方面作出了突出貢獻,憑藉多年的半導體薄膜製備經驗,攻克了材料生長、器件工藝等多項難關,順利把創新科技成果實現產業化,產品占據國內70%的市場,產銷量為國內首位。

榮譽

承擔多個國家及省部級重大科研課題項目。先後在國際性學術期刊上發表論文八十多篇,被SCI和EI收錄論文約70篇。獲得專利8項。獲山東省科技進步一等獎,美國工程師協會和英國工程師協會最佳論文獎;德國洪堡獎學金,“山東省留學回國創業獎”等學術獎勵。被評為2004年度“山東省十大傑出青年”。 2012年獲“全國優秀科技工作者”稱號 國務院政府特殊津貼等獎勵。

教育專家(三)

教育專家,一般是指對學校教育教學及學校辦學實踐有專門研究的人或擅長某項教育教學技術的人,他們不僅是對教育領域工作有專門研究的高人,而且還是特別擅長解決基層學校中實際問題的高人。教育專家不僅需要在學術上具有一定的成就,而且他們更應該用自己的學術成就為基層學校服務,能務實並有效地解決基層學校中的實際問題、攻克具體工作中的各種難題。

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