徐秋霞[中國科學院研究生院教授]:徐秋霞，1942年出生，浙江省餘姚市人 -百科知識中文網

人物簡介

1967年12月-1978年1月，長春半導體廠，生產線負責人；

1978年02月至1983年10月，中國科學院半導體研究所，工藝負責人，助理研究員；

1983年11月至1985年03月，西德拂朗淮霍夫固體技術研究所，訪問學者；

1985年03月至1986年06月，中國科學院半導體研究所，工藝負責人，付研究員；

1986年06月至1990年12月，中國科學院微電子中心，院重大項目負責人，付研究員；

1991年01月至1996年04月，中國科學院微電子中心，工藝線主任，項目負責人，研究員；

1996年05月至1996年10月，美國加洲大學伯克萊分校，高級訪問學者；

1996年11月至2000年9月，中國科學院微電子中心，，九•五國家科技攻關專題負責人，研究員，博導；

2000年10月至2000年12月，先後赴日本、香港學術交流，高級訪問學者；

2000年12至現在，中國科學院微電子研究所，課題和項目負責人，研究員，博導。

研究方向

新一代積體電路器件與工藝技術基礎研究學科類別：

獲獎及榮譽

先後榮獲國家技術發明二等獎、國家科技進步二等獎和北京市及中科院科技進步一、二等獎等共8次。另外還獲中科院科技進步三等獎2次。獲優秀論文獎多次，其中一篇獲中國科協期刊第一屆優秀論文獎。

1992年開始享受國務院頒發的政府特殊津貼。曾先後被中國科學院評為院“七.五”重大科研任務先進工作者，中科院巾幗建功先進個人和中科院京區優秀共產黨員等。

代表論著

在國內外學術期刊和會議上發表論文110篇，近期代表性論文如下：

(1)QiuxiaXu,SeniorMember,IEEE,XiaofongDuan*,HaihuaLiu*，ZhengshengHan,TiancunYe,“Low-CostandHighlyManufacturableStrainedSiliconChannelTechniqueForStrongHoleMobilityEnhancementon35nmGateLengthpMOSFETs”，IEEE

TransactionElectronDevice,Vol.54,No.6,2007,pp.1394―1401

(2)QiuxiaXu,SeniorMember,IEEE,XiaofongDuan*,etal.,“HoleMobilityEnhancementofPMOSFETswithStrainChannelInducedbyGePre-amorphizationImplantationforSource/DrainExtension”,IEEEElectronDeviceLetter,Vol.27,No.3,2006，PP.179—181;

(3)徐秋霞錢鶴段曉峰*劉海華*王大海韓鄭生劉明陳寶欽李海歐，“具有應變溝道及EOT1.2nm高性能柵長22nmCMOS器件”,《半導體學報》，27卷，增刊，2006年，pp.86-93;

(4)H.H.Liu,X.F.Duan,Q.X.Xu,X.Y.Qi,H.O.Li,H.Qian,

“Nanoscalestrainanalysisofstrained–Simetal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistorsbylargeangleconvergent-beamelectrondiffracttion”,AppliedPhysicsLetters,88,263513-1~263513-3,2006.

(5)殷華湘,徐秋霞,“體矽CMOSFinFET結構與特性研究”,<電子學報>,第33卷,第8期,2006,PP.1484—1486;

(6)QiuxiaXu,SeniorMember,IEEE,HeQian,ZhenshengHan,GangLin,MingLiu,BaoqingChen,ChuanfengZhu,DexinWu,“Characterizationof1.9nmand1.4nmUltra-thinGateOxynitridebyOxidationofNitrogen-ImplantedSiliconSubstrate”，IEEETransactionElectronDevice,Vol.51,No.1,2004，p.113-120.

(7)QiuxiaXu,SeniorMemberofIEEE,QianHe,MingLiu,YuyingZhao,BaoqingChen,ZhengshengHan,TianchunYe,DexinWu，“20nmPolysiliconGatePatterningandApplicationin36nmCMOSDevice”，JouralVaccumscienceandTechnologyB,Vol.21,No.6,Nov/Dec,2003,p.2352-2359.

承擔科研項目情況

(1)1978年至1983年作為主要技術骨幹，分別參與國家科技攻關項目NMOS4KDRAM、16KDRAM和64KDRAM研製。

(2)1983年底至1985年作為訪問學者，在西德佛朗霍夫固體技術研究所從事SOIMOS工藝及器件研究。

(3)1986年至1990年為項目負責人，承擔院重大科技項目“1-1.5μm新工藝和新器件結構的探索性研究”。

(4)1989年作為室技術副主任，副研究員，負責開發“VDMOS功率器件生產技術和系列產品開發”。

(5)1991年至1994年，研究員，室主任，負責包括雙極、CMOS、BiCMOS、VDMOS和感測器等多種技術的生產線的開發。

(6)1994年至1996年，研究員，攀登計畫課題負責人,負責”真空微電子器件研究”。

(7)1994年至1996年，研究員，作為主要技術骨幹，在國家八•五重大科技攻關項目中負責關鍵技術及集成技術研究。

(8)1996年5月—10月作為高級訪問學者與美國加州大學伯克萊分校ChenmingHu教授合作研究套用於0.2µmCMOS技術的矽化物工藝技術。

(9)1997年至2000年“九•五”期間，研究員，作為專題負責人，負責國家九•五重大科技攻關專題“0.1微米級CMOS器件結構及性能研究”；同時負責國家九•五重大科技攻關專題中0.18—0.25微米CMOS集成技術研究及其實用電路研製。

(10)2001年至2005年“十五”期間，研究員，為多課題負責人，負責“973”國家重點基礎研究課題“亞50納米器件的關鍵工藝技術基礎研究和器件製備”及“863”課題“0.09微米積體電路大生產工藝與可製造性技術研究”的子課題“0.07微米CMOS關鍵技術及器件研究”和3項國家自然科學基金項目：1）“0.1µm難熔金屬柵CMOS器件的研究”；2）“凹槽自對準雙柵MOS器件研究”；3）“納米級自對準雙柵MOS器件結構和工藝研究”。

(11)2006年-現在，研究員，為多課題負責人：負責“973”國家重點基礎研究課題“新一代集成技術基礎問題研究”和2項國家自然科學基金項目：1）“亞50納米金屬柵體矽多柵CMOS器件及關鍵技術研究”；2）“高k柵介質/雙金屬柵器件研究及製備”。還有一項院獎勵創新課題和一項所基金課題。