簡介
王曦,材料科學家。中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員。1966年8月生於上海,籍貫江蘇南通。1987年畢業於清華大學工程物理系,1990年、1993年先後獲中國科學院上海冶金研究所(現上海微系統與信息技術研究所)碩士、博士學位。現任該所常務副所長。 2009年12月當選中國科學院院士。2010年8月當選十一屆全國青聯副主席。
學術研究
長期致力於載能離子束與固體相互作用物理現象研究,並將研究成果套用於電子材料SOI(Silicon-on-insulator)的開發。在對離子注入SOI合成過程中的物理和化學過程研究基礎上,自主開發了一系列將SOI材料技術產業化的關鍵技術,建立了我國SOI材料研發和生產基地。在載能離子束與固體相互作用以及離子束輔助薄膜沉積技術研究方面,揭示了載能離子作用下薄膜表面微結構、相組分、電子學、光學、生物學特性,實現了載能離子束薄膜生長的可控制性。曾獲國家科技進步一等獎及何梁何利基金科學與技術進步獎等多項獎勵。
學術成績
負責1項中科院知識創新工程項目,1項國家八六三高技術項目,1項國家自然科學基金項目,1項中科院套用研究與發展重點項目,1項上海市科技發展基金重點課題.
建立了國內第一台真空磁過濾弧先進薄膜沉積系統,在常溫下製備了新型碳族材料-非晶金剛石薄膜:金剛石鍵含量高達85%,且不含有氫,解決了常規方法製備類金剛石薄膜中的這一對矛盾。
與劍橋大學學者同時在國際上首先提出用非晶金剛石薄膜代替金剛石薄膜作場致發射平板顯示器的陰極材料,實現了真正平面陰極的場致發射平板顯示器結構,獲得優異的場致電子發射結果,研製成功場致發射平板顯示器原型器件。
開展了離子束輔助沉積氮化物薄膜系列性研究工作,揭示了荷能離子作用下薄膜表面形貌、織構、相組份、應力以及納米層狀結構的演變規律,進而獨創性地提出若干新的思想和技術方法,並實現了薄膜,尤其是亞穩相薄膜,生長的可控制性。
上述成果獲中科院發明二等獎1項,中科院自然科學三等獎1項,獲準專利2項,在國核心心刊物(如中國科學、科學通報等)、國外權威雜誌(如APL,JAP)以及國際會議上發表論文59篇。統計過去5年的情況,被SCI收錄36篇、引用45次,被EI收錄23篇。
研究工作
進行電漿離子注入(PIII)形成“絕緣體上的矽”(SOI)結構的理論和技術研究,發展有自主智慧財產權、工業上有效、經濟上可行的大尺寸SOI圓片材料製備新技術。具體研究內容包括解決PIII形成SOI結構中的一些關鍵問題:? 橫向均勻性:研究電漿分布與襯底脈衝高壓及樣品架、真空腔體幾何尺寸、形狀的關係;? 注入離子縱向分布:研究電漿離子價態控制和注入能量單一性問題。擬開展的工作因具有明顯的創新性、重大的套用價值而入選中科院知識創新工程。
申請人擔任主任的實驗室, 是目前國內唯一全面掌握SOI技術、並且小批量供片的單位。申請人曾合作參與國家八六三高技術項目,該項目產生了國內唯一的PIII工業樣機。申請人是相應中科院知識創新工程項目的負責人,具備人力、財力等各方面的全力支持。與國外一流公司和研究機構的實質性合作保證了擬開展的工作處於世界先進水平,並能提供關鍵幫助。
中國科學院2009年新增院士
中國科學院根據《中國科學院院士章程》和《中國科學院院士增選工作實施細則》的規定,各學部院士投票選舉,各學部常委會審查確認,並經中國科學院學部主席團六屆五次會議審議批准,共產生了35名新院士。根據《中國科學院院士章程》和《中國科學院外籍院士選舉辦法》的規定,經各學部院士對外籍院士有效候選人進行通信預選,各學部常委會討論排序,學部主席團六屆四次會議審議並投票產生正式候選人,並經參加院士增選評審暨選舉會議的全體院士投票選舉,共產生了6名外籍院士。 新增中國科學院院士名單在2009年12月4日公布。 |
數學物理學部 | 孫昌璞 | 李安民 | 羅俊| 鄭曉靜 | 席南華| 崔向群 |
化學部 | 萬立駿 |包信和 | 江雷 | 江桂斌 | 陳小明 | 周其林 | 唐本忠 | 塗永強 |
生命科學和醫學學部 | 莊文穎 | 尚永豐 | 林鴻宣 | 侯凡凡| 隋森芳 |
地學部 | 周衛健 | 鄭永飛 | 莫宣學 | 陶澍 | 翟明國 |
信息技術科學部 | 劉國治 | 許寧生 | 懷進鵬 | 陳定昌 |
技術科學部 | 於起峰 | 王曦 | 王光謙 | 王自強 | 王錫凡 | 申長雨 | 劉竹生 |
外籍院士 | 菲立普 · 希阿雷(Philippe G. Ciarlet) | 哈邁德 · 澤維爾(Ahmed H. Zewail) | 徐立之(Lap-Chee Tsui) | 郎尼 · 湯姆森(Lonnie Thompson) | 馬佐平(Tso-Ping Ma) | 王中林(Zhong Lin Wang) |