總述
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的矽）技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體矽所無法比擬的優點：可以實現積體電路中元器件的介質隔離，徹底消除了體矽CMOS電路中的寄生閂鎖效應；採用這種材料製成的積體電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用於低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SOI將有可能成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術。
薄膜全耗盡FDSOI
通常根據在絕緣體上的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully Depleted）結構和厚膜部分耗盡PD（Partially Depleted）結構。由於SOI的介質隔離，製作在厚膜SOI結構上的器件正、背界面的耗盡層之間不互相影響，在它們中間存在一中性體區，這一中性體區的存在使得矽體處於電學浮空狀態，產生了兩個明顯的寄生效應，一個是"翹曲效應"即Kink 效應，另一個是器件源漏之間形成的基極開路NPN寄生電晶體效應。如果將這一中性區經過一體接觸接地，則厚膜器件工作特性便和體矽器件特性幾乎完全相同。而基於薄膜SOI結構的器件由於矽膜的全部耗盡完全消除"翹曲效應"，且這類器件具有低電場、高跨導、良好的短溝道特性和接近理想的亞閾值斜率等優點。因此薄膜全耗盡FDSOI應該是非常有前景的SOI結構。
注氧隔離的SIMOX
目前比較廣泛使用且比較有發展前途的SOI的材料主要有注氧隔離的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、矽片鍵合和反面腐蝕的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和將鍵合與注入相結合的Smart Cut SOI材料。在這三種材料中，SIMOX適合於製作薄膜全耗盡超大規模積體電路，BESOI材料適合於製作部分耗盡積體電路，而Smart Cut材料則是非常有發展前景的SOI材料，它很有可能成為今後SOI材料的主流。
