簡介
oxidation film；oxide film如鐵鈍化膜為γ-Fe2O3，Fe3O4，鋁鈍化膜為無孔的γ-Al2O3等。氧化膜厚度一般為10-9～10-10m。一些還原性陰離子，如Cl-對氧化膜破壞作用較大。為了得到厚的緻密的氧化膜，常採用化學或電化學處理。
在半導體器件的製造上，氧化膜具有極為重要的作用。其被利用為MOS電晶體的棚級氧化膜、PN接合部的保護膜、雜質擴散的光罩。製造氧化膜的代表例有：熱氧化法及氣相成長法（CVD法）。
熱氧化法（thermal oxide method）
將矽晶圓的表面用高溫氧氣或水蒸氣加以氧化生成。由於可形成細密的氧化膜，因此被用於MOS電晶體的棚級氧化層、鈍化層（passivation film，or passivation layer）。用氧化形成的膜厚度可由溫度、時間、或者水蒸氣的流量加以控制。
氣相成長法（CVD:Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積）
這是在高溫的反應爐內由矽烷氣體（SiH4）、氧氣等，利用化學反應將氧化矽沉積在晶圓表面的方法，這包括常壓CVD法（1大氣壓）與低壓CVD法等。主要用途在於形成配線層間的絕緣膜，保護晶片表面的鈍化作用膜等。這種氣體也可用在復晶矽棚級電極等的行程中。
