帶隙變窄效應

這是BJT的發射區因為重摻雜所帶來的一種不良現象。
（1）帶隙變窄效應的產生機理：
因為半導體重摻雜時將要產生能帶尾和雜質能帶；當摻雜濃度很高時，能帶尾和雜質能帶擴展，以致使得能帶尾和雜質能帶重疊，結果就就使禁帶的實際寬度由Eg變窄了ΔEg ，這就是帶隙變窄效應。
（2）帶隙變窄效應的影響：
這種由於重摻雜所引起的帶隙變窄量ΔEg與發射區摻雜濃度Ne的關係為（室溫下）ΔEg = 22.5 (Ne/1018 )1/2 [meV] .
當重摻雜導致帶隙變窄時，將相應地使得發射區中的本徵載流子濃度由ni變成為nie = ni2 exp[ΔEg / kT] ；發射區中本徵載流子濃度的增大，就將造成發射區的少子濃度peo也相應增加為peo = nie2 / Ne = ( ni2/ Ne ) exp[ΔEg / kT] 。於是，就使得發射結的注射效率降低。總之，發射區重摻雜可引起帶隙變窄，從而導致BJT的放大性能下降。
（3）減弱BJT帶隙變窄效應的技術——多晶矽發射極電晶體：
在發射極金屬電極的表面上覆蓋一薄層摻雜多晶矽，可使得本徵矽發射區表面的少數載流子壽命提高，從而能夠明顯地減弱因為高摻雜所帶來發射結注射效率降低的影響，提高電流放大係數以及工作頻率。這種能夠高頻套用的電晶體稱為多晶矽發射極電晶體。