概念
化學氣相澱積【CVD(Chemical Vapor Deposition)】，指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模積體電路中很多薄膜都是採用CVD方法製備。
氣相沉積CVD特點
澱積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與澱積時間成正比，均勻性，重複性好，台階覆蓋性優良。
作用分類
化學氣相沉積（CVD）
將工件置於反應室中，抽真空並加熱至900~1100℃。如要塗覆TiC層，則將鈦以揮發性氯化物（如TiCl4)與氣體碳氫化合物（如CH4）一起通入反應室內，這時就會在工表面發生化學反應生成TiC，並沉積在工件表面形成6~8μm厚的覆蓋層。工件經氣相沉積鍍覆後，再進行淬火，回火處理，表面硬度可達到2000~4000HV。
物理氣相沉積（PVD）
物理氣相沉積是通過蒸發，電離或濺射等過程，產生金屬粒子並與反應氣體反應形成化合物沉積在工件表面。物理氣象沉積方法有真空鍍，真空濺射和離子鍍三種，目前套用較廣的是離子鍍。
離子鍍是藉助於惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發離子化，離子經電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入CO2，N2等反應氣體，便可在工件表面獲得TiC,TiN覆蓋層，硬度高達2000HV。離子鍍的重要特點是沉積溫度只有500℃左右，且覆蓋層附著力強，適用於高速鋼工具，熱鍛模等。
