簡介
在外電場作用下液態介質內的電子受到加速而遷移,稱電子遷移。詳細介紹
遷移率(單位場強下的電子遷移速率)是沿著外電場施加於電子上的作用力方向,通常小於無規熱運動速率,其大小由介質阻礙與外場加速間達到的平衡來確定,是一個平均速率。
遷移率是單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。
遷移率(單位場強下的電子遷移速率)是沿著外電場施加於電子上的作用力方向,通常小於無規熱運動速率,其大小由介質阻礙與外場加速間達到的平衡來確定,是一個平均速率。
遷移率(mobility)是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米/(伏·秒)。遷移率代表了載流子導電能力的大小,它和載流子(電子或...
技術套用 溶液的遷移率 電子遷移率高電子遷移率電晶體(英語:High electron mobility transistor, HEMT),也稱調製摻雜場效應管(modulation-...
簡介 場效應管 金屬氧化物半導體場效應管 參見電子遷移率(英語:electron mobility)是固體物理學中用於描述金屬或半導體內部電子,在電場作用下移動快慢程度的物理量。在半導體中,另一個類...
概念 遷移率的相關概念 測量方法為電子遷移率;mp為空穴遷移率。 在室溫300K時,矽材料的mn =0.13cm2/V×s;mp=0.05cm2/V×s;鍺材料的mn
遷移率 參考文獻遷移率隙指從價帶遷移率邊到導帶遷移率邊的能量間隙。
而對於提高大規模積體電路的速度而言,增強載流子遷移率的措施往往是一種必不可少的手段。 對於ULSI的基本器件——CMOS而言,增強載流子的遷移率,特別是...
"在電場作用下,半導體中的載流子作定向漂移運動
相關詞條 相關連結“電子遷移”是50年代在微電子科學領域發現的一種從屬現象,指因電子的流動所導致的金屬原子移動的現象。因為此時流動的“物體”已經包括了金屬原子,所以也有人...
概述 電子遷移率