遷移率（mobility）是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米/（伏·秒）。遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。遷移率與載流子的有效質量和散射機率成反比。遷移率是表征半導體的一個重要參數。遷移率越大，器件的運行速度越快，截止頻率就越高。溶液中帶電粒子在電場E中向著相異電荷的電極移動，它的移動速度V是電場E和粒子的有效遷移率m的乘積，即V=mE，由此導出有效遷移率m=V/E。
遷移率是單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。遷移率與載流子的有效質量和散射機率成反比。載流子的有效質量與材料有關，不同的半導體中電子有不同的有效質量。如矽中電子的有效質量為0.5m（m是自由電子質量），砷化鎵中電子的有效質量為0.07m。空穴分重空穴和輕空穴，它們具有與電子不同的有效質量。半導體中載流子在低溫下主要受到缺陷和雜質的散射，高溫下主要受到由原子晶格振動產生的聲子的散射。散射越強，遷移率越低。
普通半導體材料的遷移率通常為10—10厘米/伏·秒。通過調製摻雜技術製造的調製摻雜異質結遷移率可達到10厘米/伏·秒以上。遷移率是表征半導體的一個重要參數。遷移率越大，器件的運行速度越快，截止頻率就越高。砷化鎵的電子有效質量比矽的小得多，因此砷化鎵被用來製作高頻器件。
溶液中帶電粒子在電場E中向著相異電荷的電極移動，它的移動速度V是電場E和粒子的有效遷移率m的乘積，即V=mE，由此導出有效遷移率m=V/E。
遷移率遷移率是單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。
簡介 詳細介紹為電子遷移率；mp為空穴遷移率。 在室溫300K時，矽材料的mn =0.13cm2/V×s;mp=0.05cm2/V×s;鍺材料的mn
遷移率 參考文獻遷移率隙指從價帶遷移率邊到導帶遷移率邊的能量間隙。
漂移遷移率，是非平衡載流子的平均漂移速度與電場強度的絕對值之比。
半導體物理釋義 物理釋義"Hall係數RH與電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱
人口遷移率的概念介紹。
介紹 相關條目default，PD），即特定時間段內借款人違約的可能性；二是違約損失率（Loss default，LGD），即違約發生時風險暴露的損失程度；三是違約風...
擴展態與定域態交界處稱為遷移率邊。
