堆爾遷移率

在電場作用下，半導體中的載流子作定向漂移運動,由此形成的電流稱為漂移電流。在電場強度不太大時，電子和空穴移動的速度（也稱漂移速度）vn、vp與電場強度E成正比，可表示為vn=－mnE或vp=mpE式中，mn為電子遷移率；mp為空穴遷移率。遷移率m是單位電場強度引起的載流子的平均漂移速度，其數值與半導體的材料、摻雜濃度、溫度等有關。在室溫300K時，矽材料的mn=0.13cm2/V×s;mp=0.05cm2/V×s;鍺材料的mn=0.38cm2/V×s;mp=0.18cm2/V×s。對同一種材料，空穴的遷移率比電子的遷移率低，這是因為空穴的運動是共價鍵中的電子依次填補空穴的結果，它不如自由電子靈活，所以其漂移速度低。式中右邊的負號表明電子漂移運動的方向與電場相反。遷移率主要影響到電晶體的兩個性能：一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由於電子的遷移率一般高於空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通常總是採用電子作為載流子的n溝道結構，而不採用空穴作為載流子的p溝道結構。二是影響器件的工作頻率。雙極電晶體頻率回響特性最主要的限制是少數載流子渡越基區的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，電晶體的截止頻率與基區材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高電晶體的開關形影速度。

相關詞條

鹵化鉿	半結	地腳螺栓	哈爾曼銅錳鋁合金電阻絲
半字	半圓頭錘	架桿	半加減電路
過氧化鉿	半光制墊圈	陀螺部件組	半減法器