隨機存儲器

隨機存儲器，以相同速度高速地、隨機地寫入和讀出數據（寫入速度和讀出速度可以不同）的一種半導體存儲器。

名稱

隨機存儲器

隨機存儲器

random access memory

簡介

以相同速度高速地、隨機地寫入和讀出數據（寫入速度和讀出速度可以不同）的一種半導體存儲器。簡稱RAM。按工作方式不同，可分為靜態和動態兩類。靜態隨機存儲器（SRAM）的單元電路是觸發器，存入的信息在規定的電源電壓下便不會改變。SRAM速度快，使用方便。動態隨機存儲器 （ DRAM ） 的單元由一個金屬-氧化物-半導體（MOS）電容和一個MOS電晶體構成，數據以電荷形式存放在電容之中 ，需每隔 2～4毫秒對單元電路存儲信息重寫一次（刷新）。DRAM存儲單元器件數量少，集成度高，套用廣泛。