雙極型隨機存儲器
正文
用雙極型電晶體構成的隨機存儲器。它在半導體存儲器中是最先研製成功的,用作計算機的緩衝存儲器,使運算速度顯著提高。雙極型隨機存儲器的速度比磁芯存儲器速度約快 3個數量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化。雙極型隨機存儲器的製造工藝比 NMOS（見N溝道金屬-氧化物-半導體積體電路）複雜，密度不及 MOS金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器。在半導體存儲器中,雙極型隨機存儲器發展速度最快,在計算機高速緩衝存儲器、控制存儲器、超高速大型計算機主存儲器等方面仍獲得廣泛套用。超高速發射極耦合邏輯電路隨機存儲器和高集成密度集成注入邏輯電路隨機存儲器已有新的發展。圖1和圖2是雙極型隨機存儲器典型單元線路圖和剖面結構，其基本結構是觸發器。圖3是典型的雙極型靜態隨機存儲器框圖。每個單元有一根字線，二根位線。單元的電流（或電壓）由字線控制，信息的寫入和讀出由位線控制。單元有二種狀態，即選中狀態和等待狀態(又稱維持狀態)。為減少功耗,等待狀態的維持電流越小越好。選中時,套用足夠的讀寫電流,避免誤讀。圖1的單元採用電阻和二極體並聯作為負載，採用浮動電壓方式工作；等待時，電壓低，二極體截止，電流受大電阻RC（20～40千歐）所限，約在15～40微安之間，選中時，電壓上升,二極體通導,位線電流可達400～500微安，不致誤讀。這種單元結構雖然有8個元件,運用設計技巧可使所占用的矽片面積不致過大，僅略大於一個雙發射極電晶體。當集成度進一步提高到 16k位時,圖1單元的等待狀態電流過大，可採用圖2單元。等待狀態的電流可由 15微安下降至3微安，這種單元電路實際上是由二隻可控矽構成的觸發器組成，採用浮動字線電壓工作方式。等待狀態電流約為3微安;選中狀態時，電壓提高，信息電流約達1毫安。
雙極型隨機存儲器
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