隨機訪問存儲器

簡介

存儲器是由許多觸發器或其他記憶元件構成的用以存儲一系列二進制數碼的器件。若字長為n位，則一個存儲單元內將含有n個記憶元件或記憶單元。存儲器內的記憶單元有規則地排列成m×n的矩陣形式。

組成與原理

RAM由記憶單元、解碼器、讀/寫控制電路及數據線、地址線和控制線組成。

靜態RAM

RAM中採用的記憶單元有許多種。就存儲信息而言可分為兩種：靜態記憶單元和動態記憶單元。由前者構成的RAM即為靜態RAM，簡稱SRAM；由後者構成的RAM，稱為動態RAM，簡稱DRAM。靜態記憶單元的示意圖如圖4-5-5所示，交叉耦合的G1和G2構成雙穩態觸發器。

動態RAM

現考察一個4K×1的動態RAM。該RAM需12根地址線。為減少引腳數，採用了行、列地址復用技術。圖4-5-9是這一RAM的邏輯框圖

擴展與地址解碼

在構造數字系統時，設計人員往往會遇到現有的RAM晶片的字數或位數或字、位數都不能滿足使用要求的情況。這時可用多片RAM按照一定的方式連線起來，以達到增加字數或/和位數的目的。