簡介
半導體集成存儲器隨機存儲器
隨機存儲器對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。隨機存儲器主要用於組成計算機主存儲器等要求快速存儲的系統。
按工作方式不同，隨機存儲器又可分為靜態和動態兩類。靜態隨機存儲器的單元電路是觸發器。可規定A或B 兩個電晶體中的一個導通時，代表“1”或代表“0”。觸發器只要電源足夠高,導通狀態便不會改變。因此,存入每一單元的信息，如不“強迫”改寫，只要有足夠高的電源電壓存在便不會改變，不需要任何刷新（見金屬-氧化物-半導體靜態隨機存儲器）。這種存儲器的速度快,使用方便。動態隨機存儲器的單元由一個MOS電容和一個 MOS電晶體構成，數據以電荷形式存放在電容之中，一般以無電荷代表“0”，有電荷代表“1”，反之亦可。單元中的MOS電晶體是一個開關,它控制存儲電容器中電荷的存入和取出。通常,MOS電容及與其相聯接的PN結有微弱的漏電，電荷隨時間而變少，直至漏完，存入的數據便會丟失。因此動態隨機存儲器需要每隔2～4毫秒對單元電路存儲的信息重寫一次，這稱為刷新。這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，套用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。
唯讀存儲器
唯讀存儲器用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函式表、字元和固定程式等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為“1”,斷開時為“0”，反之亦可。若在設計唯讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到矽晶片上。這樣製備成的稱為掩模唯讀存儲器。這種存儲器裝成整機後，用戶只能讀取已存入的數據，而不能再編寫數據。其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改唯讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體唯讀存儲器）。
串列存儲器
串列存儲器它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位暫存器和電荷耦合存儲器等。
按製造工藝技術的不同,半導體存儲器可分成MOS型存儲器和雙極型存儲器兩類。70年代以來,NMOS電路(見N溝道金屬-氧化物-半導體積體電路）和 CMOS電路 (見互補金屬-氧化物-半導體積體電路)發展最快,用這兩者都可做成極高集成度的各種半導體集成存儲器。砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。
參考書目 沈鋒編：《半導體數字積體電路》，國防工業出版社，北京，1980。
