氣相摻雜技術

氣相摻雜(dopinginvaporphasegrowth)一種半導體材料捧雜方法。半導體電學性質對幾乎所有雜質都非常敏感，因此摻雜濃度的控制是非常重要的。在氣相外延中要摻入的摻雜劑通常以化合物形式按一定量加入到氣態反應混合物中，可使外延膜獲得合適的電學性能。在氣相外延中這稱為有意摻雜。由於大多數外延生長都需要高溫，而且反應物氣體或載氣對反應器材質及襯底支托材料有腐蝕作用，從而在反應氣氛中引入不可控雜質，再摻入到外延膜中。即便是有意摻雜，在一次實驗後，沉積在系統內暴露部件上的摻雜劑在下次實驗中還會蒸發出來進入氣相，也變成不可控摻雜。在異質外延時襯底可能與氣態反應物相互作用，把它自身組分釋放到氣相中，以雜質形式再摻入到外延膜內，即使在同質外延中，襯底內的摻雜劑在加工時也會擴散進入外延膜中或蒸發後進入外延膜中產生自摻雜。在氣相外延中因為存在著多種雜質來源，最大限度地降低不可控雜質的引入和自摻雜，並控晌有意識摻雜的雜質量，是提高外延質量極為重要的問題，這就需要根據所生長材料的種類選擇加熱方式、系統內材質、反應氣體及載氣等。

氣相摻雜區熔矽單晶

氣相摻雜區熔矽單晶及其生產技術，由如下步驟完成的：(1)裝爐、抽空；(2)矽棒預熱；(3)化料；(4)摻雜：在摻雜氣體控制裝置上設定氣體流量控制參數。(5)熔接籽晶。(6)引晶；(7)生長細徑；(8)放肩；(9)等徑生長；(10)收尾、拉斷；(11)停氣；(12)停爐、拆爐。本發明採用氣相摻雜的方法在拉晶的過程中直接摻入雜質元素，省去中照過程，縮短了生產周期，降低了生產成本。不受電阻率範圍限制(中照單晶電阻率值≥30Ω.cm)，可以生產低電阻率(最低可以達到0.01Ω.cm)單晶。不影響單晶微觀粒子分布情況，不需要退火熱處理(消除中照損傷)，減少了生產工序。

相關詞條

雜質	氣相
高溫	外延膜
熔矽單晶	半導體材料