摻雜氣體

摻雜氣體(Dopan 摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。 通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣)在源櫃中混合，混合後氣流連續流入擴散爐內環繞晶片四周，在晶片表面沉積上化合物摻雜劑，進而與矽反應生成摻雜金屬而徙動進入矽。

摻雜氣體(Dopant Gases)
　氣體工業名詞，在半導體器件和積體電路製造中，將某種或某些雜質摻入半導體材料內，以使材料具有所需要的導電類型和一定的電阻率，用來製造PN結，電阻，埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。主要包括 砷烷，磷烷，三氟化磷， 五氟化磷，三氟化砷，五氟化砷，三氯化硼和 乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣)在源櫃中混合，混合後氣流連續流入擴散爐內環繞晶片四周，在晶片表面沉積上化合物摻雜劑，進而與矽反應生成摻雜金屬而徙動進入矽。