相關詞條
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外延生長
外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時...
原理 過程 質量檢測 工藝進展 -
LED外延片
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片，材料是半導體照明產業技術發展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、晶片加工技術和器件封裝技...
簡介 發展 紅黃光 藍綠光 -
分子束外延技術
分子束外延技術是在半導體工藝中近十幾年來發展起來的一項新技術，它是在超高真空條件下，類似於真空蒸發鍍把構成晶體的各個組分和予摻雜的原子(分子)，以一定的...
分子束外延生長的原理及特點 影響分子束外延的因素 分子束外延裝置 分子束外延技術的發展 -
外延氣體
氣體工業名詞，半導體工業中在仔細選擇的襯底上採用化學氣相澱積(CVD)的方法生長一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。
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分子束外延法
分子束外延（MBE）是一種物理沉積單晶薄膜方法。在超高真空腔內源材料經高溫蒸發，產生分子束流，入射分子束與襯底交換能量後，經表面吸附、遷移、成核、生長成膜。
名稱 定義 特點 技術 難點 -
原子層外延
原子層外延法是將參與反應的元素蒸氣源或化合物蒸氣源依次分別導入生長室，使其交替在襯底表面澱積成膜（Atom Layer Deposition，ALD），...
原子 原子層外延簡介 原理 優缺點 -
分子束外延
分子束外延（MBE）是新發展起來的外延制膜方法，也是一種特殊的真空鍍膜工藝。外延是一種製備單晶薄膜的新技術，它是在適當的襯底與合適的條件下，沿襯底材料晶...
原理 特點 套用 -
氣相外延
氣相外延是一種單晶薄層生長方法。氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關係。
介紹 信息 -
外延生長工藝
特性外延生長工藝epitaxy growth technology利用...。外延有同質外延和異質外延之分，可以採用隔離性能優良的絕緣材料作外延襯底。外延層可以和原單晶片具有不同的導電類型，利用這一特性，可以通過外延生長來...
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VPE[氣相外延]
氣相外延是一種單晶薄層生長方法。氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關係。
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