局部氧化技術

oxidation silicon 但是這種隔離會出現所謂“鳥嘴”（在Si3N4掩模邊緣內附近區域的Si也受濕法氧化的影響，產生出鳥嘴的形狀），這限制了隔離區寬度的進一步縮小。

局部氧化（local oxidation of silicon，LOCOS）技術：
這是Si積體電路中、通過選擇氧化的工藝來形成隔離區的一種方法。
矽的局部氧化的具體步驟是：首先通過熱氧化形成一層薄（0.05μm~0.1μm）的SiO2膜（稱為緩衝氧化膜），然後用熱CVD方法生長一層Si3N4薄膜（0.05μm~0.1μm），接著在這雙層膜上光刻出有源區圖形（除去有源區以外的SiO2膜和Si3N4膜），最後，以留下的Si3N4膜作掩模、利用氧化速度很快的濕法氧化技術在有源區以外形成一層較厚（0.5μm~1μm）的SiO2膜，這層較厚的氧化膜就起著隔離牆的作用。這種方法所形成的SiO2膜是以半埋入方式存在的，則出現的台階高度比較小；而且SiO2膜和溝道阻止層（Si3N4膜掩蔽進行硼離子注入）都可用同一塊掩模來進行自對準。但是這種隔離會出現所謂“鳥嘴”（在Si3N4掩模邊緣內附近區域的Si也受濕法氧化的影響，產生出鳥嘴的形狀），這限制了隔離區寬度的進一步縮小。