LOCOS

oxidation Silicon -常規的LOCOS工藝由於有源區方向的場氧侵蝕（SiN邊緣形成類似鳥嘴的結構，稱為“鳥

即“矽的選擇氧化”（Local oxidation of Silicon）
- CMOS工藝最常用的隔離技術就是LOCOS（矽的選擇氧化）工藝，它以氮化矽為掩膜實現了矽的選擇氧化，在這種工藝中，除了形成有源電晶體的區域以外，在其它所有重摻雜矽區上均生長一層厚的氧化層，稱為隔離或場氧化層。
-常規的LOCOS工藝由於有源區方向的場氧侵蝕（SiN邊緣形成類似鳥嘴的結構，稱為“鳥 嘴”bird break)和場注入的橫向擴散，使LOCOS工藝受到很大的限制。