《半導體器件基礎》【原出版社】McGraw-HillScience
【作者】(美)RichardL.Anderson;BettyLiseAnderson[同作者作品]
【譯者】鄧寧;田立林;任敏[同譯者作品]
【叢書名】國外大學優秀教材--微電子類系列(翻譯版)
【出版社】清華大學出版社
【書號】9787302164135
【出版日期】2008年3月
【開本】16開
【頁碼】623
【版次】1-1
【所屬分類】工業技術>電工技術>電子元器件教材>研究生/本科/專科教材>工學>電工電子
全書分為5個部分，共11章，全面介紹了半導體材料的基本性質和半導體器件的基本工作原理。從器件物理和工程套用的角度對現代半導體器件進行了全面的和注重實際的講述。在內容方面，本書不僅介紹了量子力學、半導體物理和半導體器件（包括二極體、場效應電晶體、雙極型電晶體和光電器件）的基本工作原理等內容，還包括現代半導體器件的最新進展以及器件的套用。
本書在重點介紹矽材料和矽器件的基礎上，還介紹了化合物半導體器件、合金器件（如SiGe，AlGaA.）和異質結器件。作者特彆強調對決定半導體材料和器件電學特性的物理過程的理解以及器件的實際套用。通過本書學習，不僅可以系統地掌握器件物理原理，同時能夠對先進的半導體器件技術有一個初步的了解，有利於今後進一步的學習和研究。
內容簡介
本書不僅包括了量子力學、半導體物理和半導體器件（包括二極體、場效應電晶體、雙極電晶體和光電器件）的基本工作原理等內容，還寫進了現代半導體器件的最新進展以及器件的實際套用。例如：對於顯著影響現代小尺寸器件電學特性的二級效應進行了分析和公式推導，給出了描述小尺寸器件特性的最新的數學表達式；考慮到異質結在場效應器件、雙極器件和光電器件中的套用日益增加，書中對半導體異質結作了著重介紹；由於半導體製造設備和工藝技術的提高，“能帶工程”得以實現，隨之帶來了器件性能的提高，所以本書在重點介紹矽材料和矽器件的基礎上，還介紹了化合物半導體器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和異質結器件；本書還利用電路分析程式SPICE對器件的I-V特性進行了模擬，對簡單電路進行了穩態和瞬態分析。
本書不僅是一本很好的教科書，也很適合作為微電子和相關領域的工程技術人員的參考書。作者BettyLiseArldexson博士是美國俄亥俄州立大學工學院的電機工程教授，講授多門本科生和研究生的課程。曾經在工業界工作過九年，有豐富的研究經驗，目前正在從事用於通訊、雷達和信息處理的光子學器件研究。因此，與實際器件套用緊密結合也是本書的一個特色。
目錄
譯者序
前言
第1部分半導休材料
第1章半導體中電子的能量和狀態
1.1引言
1.2歷史回顧
1.3氫原子實例
1.3.1氫原子的玻爾模型
1.3.2玻爾模型在分子方面的套用：共價鍵
1.3.3量子數和泡利不相容原理
1.3.4晶體中的共價鍵
1.4波粒二象性
1.5波函式
1.5.1幾率和波函式
1.6電子波函式
1.6.1一維空間的自由電子
1.6.2德布羅意關係
1.6.3三維空間的自由電子
1.6.4準自由電子模型
1.6.5反射和隧穿
1.7光發射和光吸收初探
1.8晶體結構、晶面和晶向
1.9總結
1.10閱讀清單
1.11參考文獻
1.12複習題
1.13習題
第2章均勻半導體
第3章均勻半導體中的電流
第4章非均勻半導體
第1部分補充內容材料
補充內容1A量子力學介紹
補充內容1B關於材料的補充問題
第2部分二極體
第5章原型同質pn結
第6章二極體的補充說明
第2部分補充內容：二極體
第3部分場效應電晶體
第7章MOSFET
第8章FET的補充分析
第3部分補充內容：場效應電晶體
第4部分雙極結型電晶體
第9章雙極結型器件：靜電學特性
第10章雙極電晶體的時變分析
第4部分補充內容：雙極器件
第5部分光電器件
第11章光點器件
附錄
附錄A重要常數
附錄B符號表
附錄C製造
附錄D態密度函式，態密度有效質量，電導率有效質量
附錄E一些有用的積分公式
附錄F有用的公式
附錄G推薦閱讀的文獻
