內容簡介
《半導體器件基礎(翻譯版)》不僅包括了量子力學、半導體物理和半導體器件（包括二極體、場效應電晶體、雙極電晶體和光電器件）的基本工作原理等內容，還寫進了現代半導體器件的最新進展以及器件的實際套用。例如：對於顯著影響現代小尺寸器件電學特性的二級效應進行了分析和公式推導，給出了描述小尺寸器件特性的最新的數學表達式；考慮到異質結在場效應器件、雙極器件和光電器件中的套用日益增加，書中對半導體異質結作了著重介紹；由於半導體製造設備和工藝技術的提高，“能帶工程”得以實現，隨之帶來了器件性能的提高，所以《半導體器件基礎(翻譯版)》在重點介紹矽材料和矽器件的基礎上，還介紹了化合物半導體器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和異質結器件；《半導體器件基礎(翻譯版)》還利用電路分析程式SPICE對器件的I-V特性進行了模擬，對簡單電路進行了穩態和瞬態分析。
《半導體器件基礎(翻譯版)》不僅是一本很好的教科書，也很適合作為微電子和相關領域的工程技術人員的參考書。作者Betty Lise Arldexson博士是美國俄亥俄州立大學工學院的電機工程教授，講授多門本科生和研究生的課程。曾經在工業界工作過九年，有豐富的研究經驗，目前正在從事用於通訊、雷達和信息處理的光子學器件研究。因此，與實際器件套用緊密結合也是《半導體器件基礎(翻譯版)》的一個特色。
圖書目錄
譯者序
前言
第1部分 半導休材料
第1章 半導體中電子的能量和狀態
第2章 均勻半導體
第3章 均勻半導體中的電流
第4章 非均勻半導體
第1部分補充內容 材料
補充內容 1A 量子力學介紹
補充內容 1B 關於材料的補充問題
第2部分 二極體
第5章 原型同質pn結
第6章 二極體的補充說明
第2部分補充內容：二極體
第3部分 場效應電晶體
第7章 MOSFET
第8章 FET的補充分析
第3部分補充內容：場效應電晶體
第4部分雙極結型電晶體
第9章 雙極結型器件：靜電學特性
第10章 雙極電晶體的時變分析
第4部分補充內容：雙極器件
第5部分 光電器件
第11章 光點器件
附錄
附錄A 重要常數
附錄B 符號表
附錄C 製造
附錄D 態密度函式，態密度有效質量，電導率有效質量
附錄E 一些有用的積分公式
附錄F 有用的公式
附錄G 推薦閱讀的文獻
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