- nitride n.
[化]氮化物
n itride n [化]氮化物
[化]氮化物
n itride n [化]氮化物
結構圖1 圖1是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖 。它用一塊P型矽半導體材料 作襯底 ,在其面上擴散了兩個N型區,再在...
結構 工作原理 詳細信息 主要參數 型號命名基本信息中文名稱:氮化鎵英文名稱:gallium(iii) nitride英文別名:Gallium nitride; nitridogallium; gallium nitrogen(-3) anion分子量...
基本信息 計算化學數據 性質與穩定性 合成方法 材料簡介Boron Nitride)。從此,PCBN以它優越的切削性能套用於切削加工...
特點 種類 生產流程 生產質量 切削性能理化性質AgN為分子晶體。大於120攝氏度時爆炸分解。黑色固體,能略溶於水、能溶於吡咯烷,溶液無色,顯強鹼性:AgN + HO ...
理化性質 化學反應 其他 相關擴展概述 氮化鈽(plutonium nitride PuN),是氯化鈉型立方晶體,有金屬光澤。有較高的導熱性和熔點,有良好的輻照性能,在高溫下(約1600℃)明顯揮發和分解。 可由氫化鈽在240℃和氮反應製得或在...
概述物理性質 氮化鎂樣品 氮化鎂(MgN)是由氮和鎂所組成的無機化合物,立方晶系。在室溫純淨的氮化鎂下為黃綠色的粉末,但含有一部分氧...
物理性質 化學性質 主要用途 製備方法 存儲運輸又名:氮化矽中文名稱:四氮化三矽英文名稱:Silicon nitride分子式:Si3N4分子量:140.28CAS:12033-89-5熔點:1900℃ 生物毒性 無 致癌性 無 毒性 無意義 0mg 致死量...
,美國SET,日本日亞、NITRIDE、DOWA ,韓國SOC等國內外UV...
公司簡介 主要產品 發展原則