W低

套用原子和表面簇合物相互作用的5參數Morse勢及由5參數Morse勢組裝推廣的LEPS方法對H-W低指數表面吸附體系進行了研究,並獲得了全部臨界點特性.計算結果表明,低覆蓋度下,H原子優先吸附在W(100)面的內層吸附位二層橋位B',獲得156meV的垂直振動頻率,隨著覆蓋度的增加,H原子穩定吸附在表層的五重洞位(二層頂位)、橋位及頂位.內層吸附位的優先吸附,對與其鄰近的表面吸附位的臨界點性質有一定影響.在W(110)面上只存在三重洞位的穩定吸附態,垂直振動頻率為151meV.在W(111)面上存在三種穩定吸附態,子表面吸附位H1,橋位B'和頂位T,分別獲得104,200,259meV的垂直振動頻率.在低覆蓋度下,H原子優先吸附在子表面吸附位H1.