簡介
顏世申科研成果的主要創新點
（1）研製了具有獨立自主智慧財產權的ZnCoO等6種高含量過渡金屬元素的氧化物磁性半導體，發現這類新材料具有高居里點、高自鏇極化率、巨磁光克爾效應等優良物理特性，有望成為高效的自鏇注入源。（2）提出了自鏇相關的電子變程躍遷理論模型，定量解釋了磁性半導體的磁電阻起源，提供了測量自鏇極化率的新方法。（3）在金屬Fe/Mn/Fe三層膜中發現了任意角度的層間耦合。（4）提出了外邊界磁化自由轉動的疇壁位移模型，解決了幾種磁性薄膜的磁化反轉機理。學歷
1997年5月—2000年2月，德國於利希研究中心，洪堡學者。導師PeterGrünberg教授，2007年諾貝爾物理學獎獲得者。
1993年6月—1996年6月，山東大學物理系，博士。導師梅良模教授。
1990年6月—1993年6月，山東大學物理系，碩士。導師劉宜華教授。
1986年9月—1990年6月，山東大學物理系，學士。
主要科研工作經歷
●2002年10月—至今，教授，博導，山東大學物理學院。設計和組建自鏇電子學實驗室，新添了分子束外延系統、脈衝雷射沉積系統、
超導量子干涉磁強計、交流梯度磁強計、光致發光譜儀等大型儀器。
研究過渡金屬化合物磁性半導體和自鏇電子注入半導體。
●2000年2月—2002年10月，研究員，美國阿拉巴馬大學和美國國家高磁場實驗室。
研究軟磁/硬磁雙相複合的金屬磁性多層膜。
●1997年5月—2000年2月，洪堡學者，德國於利希研究中心。
研究分子束外延金屬Fe/Mn/Fe三層膜的層間耦合、磁疇結構；
研究分子束外延單晶金屬磁性薄膜的磁化反轉機理。
●1996年6月-2000年2月，講師（1996），副教授（1998），山東大學物理系。
研究磁性金屬多層膜的結構、磁性、層間耦合、巨磁電阻。
主要學術任職與學術活動
教授、博士生導師，山東大學基礎學部學術委員會委員。中國物理學會會員、中國電子學會高級會員、磁學分會委員。
德國洪堡基金會會員。
“海右”全國博士生學術論壇—自鏇電子學專題，濟南，大會組織者，2009年4月。
CPS2008秋季學術會議，濟南，大會組織者之一，磁學分會召集人之一，2008年9月。
2006年北京國際材料周，磁性材料分會主持人，北京，2006年6月。
第四屆全國磁性薄膜與納米磁學會議的分會主席，天津，2004年5月。
Phys.Rev.Lett.,Phys.Rev.B,Appl.Phys.Lett.,J.Appl.Phys.,IEEETrans.Magn.,Chin.Phys.Lett.,<<物理學報>>等專業雜誌審稿人
獲獎及榮譽稱號
2008年，山東省自然科學一等獎（第一位），磁性金屬和磁性半導體薄膜的自鏇和輸運調控。
1997-2000年，洪堡學者，德國於利希研究中心。
2005-2007年，入選教育部新世紀優秀人才計
2011年顏世申“鐵磁金屬、鐵磁半導體材料及其異質結的磁性和電輸運”獲得2011年國家自然科學基金傑出青年基金資助，獲得200萬元經費資助。
近年來負責的科研項目
(1)國家重點基礎研究發展計畫項目，2007CB924903，高品質半導體磁性異質結構分子束外延生長和磁性研究，2007年—2011年，課題第二負責人（山東大學的課題負責人），390萬元，正在進行。(2)國家自然科學面上基金項目,NSFNo.10974120，自鏇極化電子在磁性半導體及其異質結中的輸運研究，2010.1—2012.12,課題負責人，42萬元，正在進行。
(3)山東省傑出青年基金,項目號JQ200901，過渡金屬摻雜Ge基磁性半導體的製備、磁性和電子輸運研究，2010.1—2012.12,課題負責人，50萬元，正在進行。
(4)國家973項目,2002CB610603,自鏇電子注入的材料結構、過程和控制,2002.4—2006.10，課題負責人，236萬元，已完成。
(5)國家自然科學面上基金項目,50572053，非勻質化合物磁性半導體的自鏇極化和電子輸運，2006.1—2008.12，項目負責人，27萬元，已完成。
(6)教育部新世紀人才支持計畫，NCET040634,亞納米尺寸複合磁性半導體材料的製備、結構和性能；2005.1-2007.12，項目負責人，50萬元，已完成。
(7)山東大學人才基金項目，新型過渡金屬氧化物磁性半導體研究，2003.1-2005.12，項目負責人，20萬元，已完成。
近期發表論文
2010 年
[1]Controllablespin-polarizedelectricaltransportinwide-band-gapoxideferromagneticsemiconductors,Y.F.Tian,Shi-shenYan,M.W.Zhao,Y.Y.Dai,Y.P.Zhang,R.M.Qiao,S.J.Hu,Y.X.Chen,G.L.Liu,L.M.Mei,Y.Qiang,andJ.Jiao,J.Appl.Phys.107（2010）033713-1-5.[2]TunablerectificationandgiantpositivemagnetoresistanceinGe1−xMnx/Geepitaxialheterojunctiondiodes，Y.F.Tian,J.X.Deng,S.S.Yan,Y.Y.Dai,M.W.Zhao,Y.X.Chen,G.L.Liu,L.M.Mei,Z.Y.Liu,andJ.R.Sun，J.Appl.Phys.107（2010）024514-1-4.
[3]Long-rangedandhightemperatureferromagnetisminMn,C-codopedZnOstudiedbyfirst-principlescalculations,Xue-lingLin,Shi-shenYan,Ming-wenZhao,Shu-junHu,Xin-xinYao,ChongHan,Yan-xueChen,Guo-leiLiu,You-yongDai,andLiang-moMei,J.Appl.Phys.107（2010）033903-1-4.
2009年
[4]Originoflargepositivemagnetoresistanceinthehard-gapregimeofepitaxialCo-dopedZnOferromagneticsemiconductors,Y.F.Tian,S.S.Yan,Q.Cao,J.X.Deng,Y.X.Chen,G.L.Liu,L.M.Mei,Y.Qiang,Phys.Rev.B79(2009)115209-1-5.[5]StronganisotropyofmagnetizationandsignreversionofordinaryHallcoefficientinsinglecrystalGe1-xMnxmagneticsemiconductorfilms,J.X.Deng,Y.F.Tian,S.M.He,H.L.Bai,T.S.Xu,S.S.Yan,Y.Y.Dai,Y.X.Chen,G.L.Liu,L.M.Mei,Appl.Phys.Lett.95(2009)062513-1-3.
[6]First-principlesstudyonferromagnetisminMg-dopedSnO2,C.W.ZhangandS.S.Yan,Appl.Phys.Lett.95(2009)232108-1-3.
[7]TunableferromagnetismbyoxygenvacanciesinFe-dopedIn2O3magneticsemiconductor,P.F.Xing,Y.X.Chen,S.S.Yan,G.L.Liu,L.M.Mei,Z.Zhang,J.Appl.Phys.106(2009)043909-1-5.
[8]OriginofferromagnetismofCo-dopedSnO2fromfirst-principlescalculations,C.W.ZhangandS.S.Yan,J.Appl.Phys.106(2009)063709-1-5.
[9]LayeredTitaniumOxideNanosheetandUltrathinNanotubes:AFirst-PrinciplesPrediction,T.He,M.W.Zhao,X.J.Zhang,H.Y.Zhang,Z.H.Wang,Z.X.Xi,X.D.Liu,S.S.Yan,Y.Y.Xia,L.M.Mei,J.Phys.Chem.C113(2009）13610-13615..
[10]Orientation-DependentStabilityandQuantum-ConfinementEffectsofSiliconCarbideNanowires,Z.H.Wang,M.W.Zhao,T.He,H.Y.Zhang,X.J.Zhang,Z.X.Xi,S.S.Yan,X.D.Liu,Y.Y.Xia,J.Phys.Chem.C113(2009）12731-12735.
[11]First-PrinciplesStudyofFacetedSingle-CrystallineSiliconCarbideNanowiresandNanotubes,Z.H.Wang,M.W.Zhao,T.He,X.J.Zhang,Z.Xi,S.S.Yan,X.D.LiuandY.Y.Xia,J.Phys.Chem.113(2009）856-861.
[12]MagneticpropertiesandantiferromagneticcouplingininhomogeneousZn1-xFexOMagneticSemiconductor,J.X.Deng,S.S.Yan,L.M.Mei,J.P.Liu,B.Altuncevahir,V.Chakka,Y.Wang,Z.Zhang,X.C.Sun,J.Lian,K.Sun,Chin.Phys.Lett.26(2009)027502-027505.
[13]Correlationbetweenthevacancydefectsandferromagnetismingraphite,X.M.Yang,H.H.Xia,X.B.Qin,W.F.Li,Y.Y.Dai,X.D.Liu,M.W.Zhao,Y.Y.Xia,S.S.Yan,B.Y.Wang,CARBON47(2009)1399-1406.
授權專利及申請專利目錄
授權專利
[1]電輸運性質可調控的氧化物磁性半導體薄膜及其製備方法，專利號ZL200710115811.6，授權日2009年12月，發明人顏世申、陳延學、劉國磊、梅良模、田玉峰、喬瑞敏。[2]非晶態高摻雜CoxTi1-xO2鐵磁性半導體薄膜的製備方法，專利號ZL200510043640.1，授權日2007年11月21日，發明人顏世申、陳延學、宋紅強、劉國磊、梅良模。
[3]亞納米複合製備氧化鋅基磁性半導體材料的方法，專利號ZL03139039.0,授權日2006年4月26日，發明人梅良模、顏世申、陳延學、任妙娟、季剛。
[4]非勻質Zn-Co-O磁光薄膜及其製備方法，專利號ZL200610043854.3，授權日2010年2月5日，發明人陳延學、顏世申、張雲鵬、劉國磊、梅良模
申請專利
[1]單晶GeMn磁性半導體/Ge磁性異質結二極體及其製備方法，申請日2009年8月6日，申請號200910017191.1,申請人山東大學，發明人顏世申、田玉峰、鄧江峽、陳延學、劉國磊、梅良模。[2]磁性增強的H摻雜MnGe磁性半導體薄膜，申請日2008年3月7日，申請號200810014729.9,申請人山東大學，發明人顏世申、姚新欣、喬瑞敏、秦羽豐、孫毅彥、陳延學、劉國磊、梅良模。
[3]非晶態Zn-Fe-O鐵磁性半導體材料及其製備方法，申請日2006年4月25日，申請號200610043855.8，發明人梅良模、顏世申、陳延學、劉國磊。
[4]亞納米CoZnO紫外發光薄膜及其製備方法，申請日2005年1月20日，申請號200510042037.1,申請人山東大學，發明人顏世申、陳延學、任妙娟、梅良模。
大會特邀報告
[1]第二屆法中“半導體量子信息和自鏇電子學”研討會，法國土魯斯，2009年10月11-16日，Ge-basedmagneticsemiconductorsandGeMn/Gediodes,Shi-shenYan，特邀報告。[2]中英納米自鏇電子學專題研討會，英國倫敦，2008年9月8日-12日，Studyofdilutedandconcentratedoxidemagneticsemiconductors，Shi-shenYan，特邀報告。
[3]The2ndWUNInternationalConferenceonSpintronicMaterialsandTechnology,2008年7月13-16，南京，Controllablemagneticandtransportpropertiesofoxideferromagneticsemiconductors,Shi-shenYan，特邀報告。
[4]第十六屆全國半導體物理學術會議與半導體自鏇電子學特殊研討會，2007年，蘭州，寬禁帶氧化物磁性半導體的製備、微結構、磁性和輸運研究，顏世申，特邀報告。
[5]The1stChinese-FrenchWorkshoponQuantumManipulationofSpininsemiconductor,Beijing,2007，Magneticsemiconductor:fromdilutetohighconcentrationoftransitionalmagneticelements,Shi-shenYan,特邀報告。
[6]中國物理學會2007年秋季會議，2007年9月，南京，磁性半導體中自鏇相關的變程躍遷及其電的磁的相互作用，顏世申，磁學分會特邀報告。
[7]2006年北京國際材料周（2006年中國材料研討會），北京，2006年6月27-30，高含量過渡金屬元素的氧化物磁性半導體研究，顏世申，磁性材料分會特邀報告。
[8]第四屆全國磁性薄膜與納米磁學會議，天津，2004年5月27-31日，ZnCoO磁性半導體研究，顏世申，大會特邀報告。
[9]systematicalstudyonanidealmodelsystemofsoft/hardexchange-coupledNiFe/SmFebilayers，Shi-shenYan，2003年海峽兩岸磁性物理、材料和套用研討會，2003年2月21－25日，海南，博鰲。（大會特邀報告）
