雪崩觸發俘獲等離子渡越時間二極體

diode,Trapped 獲電漿模式;e)因為電漿可承受低電壓、大電流,故TRAPATT二極體的輸出功率和效率都很高——是高功率、高效率的一種TTD的工作模式 至於TRAPATT二極體的工作頻率,因為雪崩區推進的速度較快,則主要是決定於漂移區中電漿的解體速度,因此工作頻率一般都比較低一些(在毫米波以下)。

雪崩觸發俘獲等離子渡越時間二極體TRAPATT diode,Trapped Plasma avalanche Triggered Transit Diode):
這是在IMPATT二極體工作的基礎上、以另外一種特殊的機理來實現微波振盪的渡越時間器件(TTD)。因為IMPATT二極體在大注入情況下的空間電荷效應將非常強,使得漂移區中電場的分布發生變化;則隨著電荷的推移,就可以造成漂移區依次被擊穿 (即雪崩區向前推進),並達到整個漂移區擊穿 (即形成電漿區),這時電導增大、電場降低,即輸出一個電流脈衝,並同時雪崩作用停止;然後漂移區中的電漿逐漸解體,當電漿消失後,電場又升高,並重複先前的過程,……,這樣就產生了微波振盪。
TRAPATT二極體的基本特性是:a)由於是利用大注入下的空間電荷效應來工作的,故工作電流大;b)工作時整個漂移區被擊穿了,則噪聲要比IMPATT二極體的還要大;c)因為是工作在“IMPATT二極體模式+空間電荷效應”的狀態下,故雪崩過程對TRAPATT二極體起著觸發的作用;d)因為工作時整個漂移區是電漿區,則稱為俘
獲電漿模式;e)因為電漿可承受低電壓、大電流,故TRAPATT二極體的輸出功率和效率都很高——是高功率、高效率的一種TTD的工作模式 (例如,1.1GHz時的功率可達1.2KW,0.6GHz時的效率可達到75% )。至於TRAPATT二極體的工作頻率,因為雪崩區推進的速度較快,則主要是決定於漂移區中電漿的解體速度,因此工作頻率一般都比較低一些(在毫米波以下)。

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