TTD是利用載流子在渡越漂移區的過程中所造成的輸出電流與電壓之間的相位差、再加上載流子注入的相位差來實現微波振盪的一種有源微波器件。
根據注入載流子機理的不同,可以有幾種不同工作模式的TTD,即碰撞電離雪崩注入渡越時間二極體(IMPATTD)、勢壘注入渡越時間二極體(BARITTD)、隧穿注入渡越時間二極體(TUNNETTD)、雙速度渡越時間二極體(DOVETTD) 和俘獲電漿雪崩觸發渡越時間器件 (TRAPATTD) 等幾種器件。TTD與轉移電子器件(TED)等幾種微波器件的輸出功率~頻率特性的比較見圖示。
相關詞條
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雙速度渡越時間二極體
定義;由於少數載流子的存貯效應和"本徵"層中的渡越時間 利用雪崩擊穿對晶體注入載流子... 台面型和平面型二極體。
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隧穿渡越時間二極體
隧穿渡越時間二極體,TUNNETT diode(Tunn Time
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雪崩觸發俘獲等離子渡越時間二極體
diode,Trapped 獲電漿模式;e)因為電漿可承受低電壓、大電流,故TRAPATT二極體的輸出功率和效率都很高——是高功率、高效率的一種...
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半導體器件
半導體器件是導電性介於良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。 ...
簡介 分類 命名方法 積體電路 光電器件 -
碰撞電離雪崩渡越時間二極體
這是一種重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越這兩種過程所造成的延遲作用來產生振盪的。
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勢壘注入渡越時間二極體
勢壘注入渡越時間二極體(BARITT diode,Barrier Injection Transit Time Diode)與IMPATT(雪崩注入渡越...
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半導體器件完全指南
《半導體器件完全指南》是2009年科學出版社出版的圖書,作者是伍國珏、馮世娟。
圖書信息 內容簡介 圖書目錄 -
捷渡行車記錄儀
捷渡行車記錄儀是深圳捷渡科技有限公司旗下的產品,該公司企業旗下的“JADO”品牌,包括個人掌上辦公娛樂終端、移動網際網路接入設備、通訊器材及汽車導航系統等...
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