相關詞條
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遷移率隙
遷移率隙指從價帶遷移率邊到導帶遷移率邊的能量間隙。
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遷移率帶隙
導帶遷移率邊和價帶遷移率邊之間稱為遷移率帶隙。
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無定形和液態半導體材料
有限的範圍。局域態與能帶中間高遷移率的擴展態的分界，稱為遷移率邊，導帶下端的遷移率邊與價帶上端的遷移率邊之間的間隙稱為遷移率隙，相當於晶態半導體...的原因。但對於光吸收，晶格弛豫來不及發生，吸收邊也接近遷移率隙，所以它們...
無定形和液態半導體材料 正文 配圖 相關連線 -
半導體物理學（第7版）
參考資料第4章 半導體的導電性4.1 載流子的漂移運動和遷移率4.1.1 歐姆定律4.1.2 漂移速度和遷移率4.1.3 半導體的電導率和遷移率...散射機構 [1]4.3 遷移率與雜質濃度和溫度的關係4.3.1 平均自由...
基本信息 圖書內容 編輯推薦 目錄信息 -
非晶態半導體
的Ec和E婞，這個分界處稱為遷移率邊。1960年莫脫首先提出了遷移率邊...。莫脫進一步認為遷移率邊對應於電子平均自由程接近於原子間距的情況，並定義這種情況下的電導率為最小金屬化電導率σ。然而，目前圍繞著遷移率邊和最小...
正文 參考書目 -
SOI材料
簡介SOI是“Silicon-on-insulator”的簡稱，中文譯為“絕緣體上的矽”。國際上公認，SOI是21世紀的微電子新...
簡介 發展歷史 優缺點 製備技術 套用領域 -
非晶態半導體材料
擴展態外，還存在由無序引起的帶尾定域態。擴展態與定域態交界處稱為遷移率邊，導帶遷移率邊和價帶遷移率邊之間稱為遷移率帶隙。帶隙中存在著由缺陷和無序...半導體中大量缺陷和隙態的存在，其載流子遷移率很低，在室溫下電子的遷移率...
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半導體物理學
吸收邊。一般的半導體可以區分為兩類情形，形象地表示在圖7a和圖7b中。兩圖中的箭頭都表示對應於吸收邊的電子躍遷。在圖7a的情形，導帶底和價帶頂都位於k=0，所以吸收邊的電子躍遷符合k不變的要求，這樣的半導體稱為直接帶隙...
國防工業出版社出版圖書 電子工業出版社出版圖書 物理學分支 內容簡介 圖書目錄 -
雷射印表機
改變物體內的“載流子遷移率”（遷移率是載流 子的遷移速度與外電場的比值）。標誌物體的導電能力的“電導”，等於載流子密度乘以遷移率。遷移率上升，電導提高，電導率由本徵光電導率、雜質光電導率和遷移率的值共同決 定，只是在...
發展歷史 原理 分類 結構 維護
