相關詞條
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遷移率隙
遷移率隙指從價帶遷移率邊到導帶遷移率邊的能量間隙。
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隙態
隙態（state 非晶態半導體材料能帶模型中遷移率隙中的電子狀態稱為隙態。 隙態對非晶態半導體材料的光學和電學性質有重要影響，性能優良的非晶態半導體器件...
物理釋義 主要分類 物理意義 -
寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室
寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學，是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上，2007年國家批准建設的國家級重點實驗室，2...
發展歷程 條件 科學研究 成果獎勵 -
寬禁帶半導體材料
固體中電子的能量具有不連續的量值，電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上...
半導體材料 矽材料的限制 寬禁帶半導體材料的發展 套用 -
異質結原理與器件
太陽能電池和梯度帶隙半導體。 本書深入淺出，圖文並茂，內容翔實，對於從事...、異質結製備、位錯與彈性應變、寬頻隙半導體材料、異質結雷射器、超晶格與多量子... 第7章 寬頻隙半導體材料 7.1 SiC半導體 7.1.1...
內容簡介 目錄 -
無定形和液態半導體材料
有限的範圍。局域態與能帶中間高遷移率的擴展態的分界，稱為遷移率邊，導帶下端的遷移率邊與價帶上端的遷移率邊之間的間隙稱為遷移率隙，相當於晶態半導體...，所有鍵都得到滿足，鍵長鍵角無序極小的無定形半導體）的遷移率隙中，除了集中於...
無定形和液態半導體材料 正文 配圖 相關連線 -
半導體物理學
的能區稱為禁帶隙（簡稱禁帶）。本徵光譜和能帶結構半導體的本徵吸收光譜直接...位於k=0，所以吸收邊的電子躍遷符合k不變的要求，這樣的半導體稱為直接帶隙...或發射一個聲子，以補償電子準動量的變化。這樣的半導體稱為間接帶隙半導體...
國防工業出版社出版圖書 電子工業出版社出版圖書 物理學分支 內容簡介 圖書目錄 -
光催化
或絕緣物質的特別的能帶結構,即在價帶(ValenceBand,VB)和導帶(ConductionBand,CB)之間存在一個禁帶(ForbiddenBand,BandGap)。由於半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K...
基本簡介 存在原理 催化反應 當前進展 光催化 -
氮化鎵
化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高...了GaN帶隙與溫度的依賴關係，Pankove等人估算了一個帶隙溫度係數的經驗...的帶隙為3.503eV±0.0005eV，在1.6kT為Eg=3.503...
基本信息 計算化學數據 性質與穩定性 合成方法 材料簡介
