漂移遷移率

半導體物理釋義

漂移遷移率（drift mobility）
載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。

物理釋義

在均勻的半導體材料中，用局部的光脈衝照射會產生非平衡載流子，光脈衝停止後，整個非平衡載流子的“包”在電場作用下以漂移速度v=μ|E|向樣品一端運動，若已知電場強度|E|及脈衝電荷包漂移的距離x，可計算出遷移率μ=x/(|E|t)，其中t為光脈衝停止時刻與示波器探測到非平衡載流子電荷包的時間隔，這樣測得的遷移率為漂移遷移率。漂移遷移率是非平衡載流子的平均漂移速度與電場強度的絕對值之比。