基本信息
磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式，相比於蒸發鍍膜方式，其在很多方面有相當明顯的優勢。作為一項已經發展的較為成熟的技術，磁控濺射已經被套用於許多領域。
濺射技術
濺射靶材濺射是製備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體並沉積在基底表面，被轟擊的固體是製備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體積體電路、太陽能光伏、記錄介質、平面顯示以及工件表面塗層等方面都得到了廣泛的套用。
主要套用
濺射靶材主要套用於電子及信息產業，如積體電路、信息存儲、液晶顯示屏、雷射存儲器、電子控制器件等；亦可套用於玻璃鍍膜領域；還可以套用於耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業。
分類
•根據形狀可分為方靶，圓靶，異型靶
•根據成份可分為金屬靶材、合金靶材、陶瓷化合物靶材
•根據套用不同又分為半導體關聯陶瓷靶材、記錄介質陶瓷靶材、顯示陶瓷靶材、超導陶瓷靶材和巨磁電阻陶瓷靶材等
•根據套用領域分為微電子靶材、磁記錄靶材、光碟靶材、貴金屬靶材、薄膜電阻靶材、導電膜靶材、表面改性靶材、光罩層靶材、裝飾層靶材、電極靶材、封裝靶材、其他靶材
磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的電漿，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片澱積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用範圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射製備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波電漿濺射，常用的有電子迴旋共振(ECR)型微波電漿濺射。
磁控濺射鍍膜靶材：
金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，矽化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化矽陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）
1. 金屬靶材：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁矽靶、AlSi、矽靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不鏽鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等金屬濺射靶材。
2. 陶瓷靶材
ITO靶、AZO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化矽靶、碳化矽靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化矽靶、一氧化矽靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化矽靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化矽靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶等陶瓷濺射靶材。
3.合金靶材
鎳鉻合金靶、鎳釩合金靶、鋁矽合金靶、鎳銅合金靶、鈦鋁合金、鎳釩合金靶、硼鐵合金靶、矽鐵合金靶等高純度合金濺射靶材。
