抗輻射積體電路概論

基本信息

• 名稱：抗輻射積體電路概論
• 作者：韓鄭生
• 價格：30.00元
• ISBN：9787302245476
• 出版社：清華大學出版社
• 開本：16開
• 出版時間：2011年

內容簡介

《抗輻射積體電路概論》論述抗輻射積體電路方面的知識。《抗輻射積體電路概論》共分10章，主要內容包括輻射環境、輻射效應、抗輻射雙極積體電路設計、抗輻射mos積體電路設計、微處理器加固技術、存儲器加固技術、fpga加固技術、模型參數、積體電路抗輻射性能評估。《抗輻射積體電路概論》可作為高等學校電子科學與技術類專業選修教材，或從事相關研究的科技人員的參考書。

.封面

作者簡介

韓鄭生，長期從事半導體工藝技術、積體電路設計研究工作。主要研究方向為可靠性SOICMOS積體電路技術。研究內容包括SOICMOS工藝技術開發、靜態隨機存儲器（SRAM）電路設計、積體電路抗輻射性能研究。

圖書目錄

第1章緒論

第2章輻射環境

第3章輻射效應

第4章抗輻射雙極積體電路設計

第5章抗輻射mos積體電路設計

第6章微處理器加固技術

第7章存儲器加固技術

第8章fpga加固技術

第9章模型參數

第10章積體電路抗輻射性能評估

辭彙表

參考文獻