射頻濺射

用交流電源代替直流電源就構成了交流濺射系統，由於常用的交流電源的頻率在射頻段，如13.56MHz，所以稱為射頻濺射。
在直流射頻裝置中如果使用絕緣材料靶時，轟擊靶面得正離子會在靶面上累積，使其帶正電，靶電位從而上升，使得電極間的電場逐漸變小，直至輝光放電熄滅和濺射停止。所以直流濺射裝置不能用來濺射沉積絕緣介質薄膜。為了濺射沉積絕緣材料，人們將直流電源換成交流電源。由於交流電源的正負性發生周期交替，當濺射靶處於正半周時，電子流向靶面，中和其表面積累的正電荷，並且積累電子，使其表面呈現負偏壓，導致在射頻電壓的負半周期時吸引正離子轟擊靶材，從而實現濺射。由於在靶上會形成負偏壓，所以射頻濺射裝置也可以濺射導體靶。
在射頻濺射裝置中，電漿中的電子容易在射頻場中吸收能量並在電場內振盪，因此，電子與工作氣體分子碰撞並使之電離產生離子的機率變大，故使得擊穿電壓、放電電壓及工作氣壓顯著降低。