簡歷：
1999年畢業於廈門大學物理系，2000年赴美國俄亥俄州University of Toledo物理系留學，師從
劉向鑫期間與Argonne National Lab同步加速器實驗室的MRCAT beamline和密西根大學微電子束分析實驗室(EMAL)合作，使用X射線精細吸收譜技術(XAFS)和高倍掃描電鏡技術發現了碲化鎘薄膜電池表面的氧化銅納米層；並在低溫光致發光譜（Cryogenic Photoluminescence）中發現了碲化鎘晶體的氯和磷雜質特徵譜線並獲得其在禁帶中的能級。2008-10年是美國DOE的SAI- University of Toledo and Calyxo項目（課題號:DE-PS36-07GO97027，三年1.7百萬美元經費）主要研究人員。
主要從事的研究：
太陽能電池和替代能源產業化技術、薄膜電池的可持續性發展、新型射頻濺射鍍膜技術的開發、II-VI族光伏器件的製備與生產、 II-VI族半導體的光電學特性、X射線光譜技術、X射線精細吸收譜的理論模擬、高倍電子顯微鏡技術包括掃描電鏡、能量色散譜和透射電鏡、雷射散射。
學術界合作夥伴包括內華達大學能源轉換器件表面與界面科學實驗室，密西根大學微電子束分析實驗室(EMAL)，Argonne National Lab 的MRCAT Beamline，俄勒崗州立大學和Ametek EDAX Inc.；技術合作範圍涵蓋X射線發射譜(X-ray Emission Spectroscopy)、X射線精細吸收譜(XAFS)、透射和掃描電子顯微鏡、能量色散譜(Energy-dispersive Spectroscopy)元素分布分析、電子背向散射衍射(Electron Backscatter Diffraction) 等。
工業界合作夥伴包括NSG-Pilkington(全球最大玻璃製造商和太陽能用玻璃板供應商之一)、Corning Inc. (著名套用玻璃製造商)、Solar Fields LLC、Cerac、Calyxo USA、W & K Solar group、Sun Power。技術合作範圍涵蓋新型光伏用透明導電氧化物和新型玻璃襯底、線上雷射散射監控技術、薄膜太陽能電池的雷射光刻集成技術、高摻雜透明p-n雙層在晶體矽電池上的套用，以及實驗裝備的設計等
代表論著：
1) “Thin-film CdTe cells: reducing the CdTe”, V. Plotnikov, X. Liu, N. Paudel, D. Kwon, K.A. Wieland, A.D. Compaan, Thin Solid Films (2011), DOI:10.1016/j.tsf.2010.12.179.
2) “Effects of post-deposition treatments on surfaces of CdTe/CdS solar cells”, S. Pookpanratana1, X. Liu (劉向鑫), N. R. Paudel, L. Weinhardt, M. Bär, Y. Zhang (張宇鋒), A. Ranasinghe, F. Khan, M. Blum, W. Yang, A. D. Compaan, and C. Heske , App. Phys. Letter, 97, 172109 (2010).
3) “Chemical structure of buried interfaces in CdTe thin film solar cells”, S. Pookpanratana, F. Khan, Y. Zhang, C. Heske, L. Weinhardt, M. Bär, X. Liu, N. Paudel, and A. Compaan, 35rd IEEE P Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 000024-27, June 20-25, 2010, Honolulu, HA.
4) "Capacitance-Voltage Characterization of Solar Cells with CdS in CdTe Matrix”, R. JHA, X. Liu, K.A. Wieland, J. Ordosgoitti, N. Paudel, K. Sun, and A. Compaan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 1260, 1260-T13-04, DOI: 10.1557/PROC-1260-T13-04, San Francisco, CA (Spring 2010).
5) “Migration and Oxidation of Sulphur at the Back Contact in CdTe Cells”, X. Liu, N.R. Paudel, and A. D. Compaan，K. Sun，L. Weinhardt, M. Bär, S. Pookpanratana, and C. Heske，O. Fuchs，W. Yang and J.D. Denlinger, 34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), DOI: 002107-10, 10.1109/PVSC.2009.5411434 (2009).
6) “PIN Double-heterojunction Thin-film Solar Cell p-layer Assessment”, J.A. Spies, R. Schafer, J.F. Wager, P. Hersh, H.A.S. Platt, D.A. Keszler, G. Schneider, R. Kykyneshi, J. Tate, X. Liu, A.D. Compaan and W.N. Shafarman, Solar Energy Materials & Solar Cells, Vol 93, 1296-1308 (2009).
7) “XRF and High Resolution TEM Studies of Cu at the Back Contact in Sputtered CdS/CdTe Solar Cells”, Xiangxin Liu, A. D. Compaan, Kai Sun and Jeff Terry, 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 1-4, DOI:10.1109/PVSC.2008.4922458 (2008).
8) “Studies of Cu location near the back contact of CdS/CdTe solar cells”, Victor Plotnikov, Xiangxin Liu and Alvin D. Compaan, , Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference(PVSC), DOI:1-3, 10.1109/PVSC.2008.4922540 (2008).
9) “Cu K-edge EXAFS Studies Of CdCl2 Effect On CdTe Solar Cell”, Xiangxin Liu, A. D. Compaan, and Jeff Terry, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 865, F4.2, 2005.
10) “Photoluminescence from Ion Implanted CdTe Crystals”, Xiangxin Liu and Alvin D. Compaan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 865, F5.25, 2005.
11) “Cu K-edge X-ray fine structure changes in CdTe with CdCl2 processing”, Xiangxin Liu, Alvin D. Compaan, Jeff Terry, Thin Solid Films, 480-481 (2005), pp. 95-98.
12) “X-ray Absorption Fine Structure Study of Aging Behavior of Oxidized Copper in CdTe Films”, Xiangxin Liu, Alvin D. Compaan and Jeff Terry, Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference, p.267-270 (2005).
13) “Cu K-edge EXAFS in CdTe before and after treatment with CdCl2”, Xiangxin Liu, Alvin D. Compaan, Nadia Leyarovska, and Jeff Terry, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 763, B3.5.1, 2003
學術方向：
主要從事以下方面的研究：太陽能電池和替代能源產業化技術、薄膜電池的可持續性發展、新型射頻濺射鍍膜技術的開發、II-VI族光伏器件的製備與生產、 II-VI族半導體的光電學特性、X射線光譜技術、X射線精細吸收譜的理論模擬、高倍電子顯微鏡技術包括掃描電鏡、能量色散譜和透射電鏡、雷射散射。
