鈦酸鋇薄膜

barium 採用射頻濺射方法製備。 用於製造大容量的電容器。

barium titanate film
以鈦酸鋇為電介質的薄介質材料。
介電常數在16～1900範圍內，損耗與薄膜結構有關，無定形膜損耗為0.5％，多晶膜為6.5％。
採用射頻濺射方法製備。
用於製造大容量的電容器。