嚴輝[北京工業大學材料科學與工程學院教授]

目前為北京工業大學材料科學與工程學院教授，博士生導師，並擔任新型功能材料教育部重點實驗室副主任。1984年畢業於蘭州大學物理系並獲理學學士學位，曾任蘭州大學物理系和中南工業大學套用量子化學研究中心助教，1993年在日本國立Kanazawa大學電氣計算機工程系獲博士（理）學位，因在非晶態半導體熱平衡缺陷、電導及其表面缺陷研究方面的學術貢獻兩次獲得日本C&C振興財團的學術獎勵，1993年至1996年在香港中文大學電子工程系任博士後研究員。1998年破格晉升為教授、博士生導師，出任新型功能材料教育部重點實驗室副主任。

基本信息

• 中文名：嚴輝
• 出生日期：1963年
• 性別：男
• 民族：漢族
• 國籍：中國
• 職業：學者 教授
  
• 畢業院校：蘭州大學；日本國立Kanazawa大學

• 成就：國務院政府特殊津貼

人物經歷

嚴輝

1984年7月本科畢業於蘭州大學物理系； 1993年畢業於日本Kanazawa大學電氣信息工學科，獲理學博士學位。目前為北京工業大學材料科學與工程學院教授，博士生導師，並擔任新型功能材料教育部重點實驗室副主任。2002年起任中國儀器儀表學會儀表材料學會副秘書長。

研究方向

主要在新型電子材料及其薄膜的研究領域，特別是在相關製備與物性測試方面取得了一定的工作進展，在國內外學術刊物上發表論文多篇。，指導過多名博士與碩士生，並與國外多家著名大學和研究機構建立了密切的科研合作與聯合培養關係。目前，主要的研究興趣側重在光電信息材料及其器件的結構與性能關係、第一原理在材料科學中的套用和測試分析技術的發展等方面的工作。

主要貢獻

目前，圍繞信息和能源技術的需求和發展背景，重點研究固體及其器件的元素、尺度、結構與其電學、光電、磁電性能關係，開展相應的理論（第一性原理、分子動力學、熱力學）、合成、製備、表征與套用等方面的工作，主要包括新型氧化物半導體薄膜的摻雜機理及其原型器件，強關聯體系及量子結構中電子的行為特點與調製方法，電子自旋與電荷的關聯現象，微納電子、光電子、磁電子器件的Monte Carlo模擬與結構最佳化以及微納結構的製備與表征。

獲獎記錄

因在非晶態半導體熱平衡缺陷、電導及其表面缺陷研究領域所作出的重要學術貢獻，曾兩次獲得國際性的重要學術獎項-日本 NEC C&C振興財團的學術獎勵，並在納米結構調製的聲子特性、量子傳導、自旋輸運、電子發射、光電耦合與回響等方面的研究工作中，開展了系統深入的理論和實驗研究，獲得多項重大突破，發表Sci檢索論文200餘篇、他引1500多次，獲準國家發明專利20多項，2010年出版《 納米物理學》的研究專著。研究對象重點集中在新能源材料和新信息技術中基礎與套用的重大關鍵問題，主要承擔有國家重大專項、國家基金重點項目、中國科學院半導體光伏產業技術諮詢評議項目、北京市屬高等學校人才強教深化計畫“學術創新團隊建設計畫”項目等。在過去10年中，所領導的團隊培養出近20位博士研究生、70位碩士研究生，其中指導的博士生2人獲全國優秀博士論文提名獎、1人獲北京市優秀博士論文；近30位出國繼續深造，其中1人獲全美航空航天領域的“AMELLA EARHART” 獎學金和全美材料科學領域的“藍寶石”獎學金。1996年7月被評為“北京市高等學校優秀青年教師”，1997年9月入選“北京市科技新星計畫”，1997年9月被評為“北京市跨世紀優秀人才工程”，2000年6月被獎予“國務院政府特殊津貼”。“a-SiGe:H合金薄膜的熱平衡研究”獲1991年日本C&C學術研究獎勵，“超硬、寬頻隙薄膜材料的製備與特性研究”獲1999年北京市科技成果進步二等獎。“C60薄膜的製備、摻雜及特性研究”獲2000年北京市科技成果進步三等獎。