內容提要
本書在簡要介紹半導體製造流程的基礎上，著力從理論和實踐兩個方面對晶體生長、矽氧化、光刻、刻蝕、擴散、離子注入和薄膜澱積等主要製備步驟進行詳細探討。本書所有內容的講解都結合了計算機仿真和模擬工具，並將工藝模擬作為問題分析與討論的工具。
本書可作為高等院校微電子和材料科學等專業高年級本科生或者一年級研究生的教材。
作者簡介
GaryS.May是半導體製造領域的世界級專家，IEEE會士，現任佐治亞理工學院電子和計算機工程學院院長、教授。May於1991年獲得加州大學伯克利分校博士學位，此後任職于貝爾實驗室和麥道公司。曾擔任半導體領域權威期刊IEEETransactionsofSemiconductormanufacturing主編。
目錄
第1章概述
第2章晶體生長
第3章矽氧化
第4章光刻
第5章刻蝕
第6章擴散
第7章離子注入
第8章薄膜澱積
第9章工藝集成
第10章IC製造
第11章未來趨勢和挑戰
附錄A符號表
附錄B國示單位制
附錄C單位詞頭
附錄D希臘字母表
附錄E物理常數
附錄F300K時Si和GaAs的性質
附錄G誤差函式的一些性質
附錄H氣體基本動力學理論
附錄ISUPREM命令
附錄J運行PROLITH
附錄Kt分布的百分點
附錄LF分布的百分點
索引
