基本內容
乾法刻蝕是用電漿進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以電漿形式存在時，它具備兩個特點：一方面電漿中的這些氣體化學活性比常態下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對電漿進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此，乾法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。
乾法刻蝕又分為三種：物理性刻蝕、化學性刻蝕、物理化學性刻蝕。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕。很明顯，該濺射刻蝕靠能量的轟擊打出原子的過程和濺射非常相像。（想像一下，如果有一面很舊的土牆，用足球用力踢過去，可能就會有牆面的碎片從中剝離）這種極端的刻蝕方法方向性很強，可以做到各向異性刻蝕，但不能進行選擇性刻蝕。
化學性刻蝕利用電漿中的化學活性原子團與被刻蝕材料發生化學反應，從而實現刻蝕目的。由於刻蝕的核心還是化學反應（只是不涉及溶液的氣體狀態），因此刻蝕的效果和濕法刻蝕有些相近，具有較好的選擇性，但各向異性較差。
人們對這兩種極端過程進行折中，得到目前廣泛套用的一些物理化學性刻蝕技術。例如反應離子刻蝕（RIE --Reactive Ion
Etching）和高密度電漿刻蝕（HDP）。這些工藝通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕，同時兼有各向異性和選擇性好的優點。目前RIE已成為超大規模積體電路製造工藝中套用最廣泛的主流刻蝕技術。
