SOI:納米技術時代的高端矽基材料

SOI:納米技術時代的高端矽基材料

SOI:納米技術時代的高端矽基材料,圖書,作者是林成魯,由科技大學出版。

基本信息

內容簡介

本書所收集的納米技術時代的高端矽基SOI材料方面的研究論文共40篇,部分是在國外刊物上發表的論文,其出處都已標明著作權所有的學術期刊。書中主要包括以下幾部分:SOI納米技術時代的高端矽

基材料進展;SOI新材料的製備科學;SOI材料與器件特有的物理效應;SGOI新結構和應變矽的製備科學;SOI技術的若干套用研究。可供各大專院校作為教材使用,也可供從事相關工作的人員作為參考用書使用。
絕緣體上矽(silicononinsulator,SOI)技術在高速、低壓低功耗電路、高壓電路、抗輻射、耐高溫電路、微機械感測器、光電集成等方面具有重要套用,是微電子和光電子領域發展的前沿,被國際上公認為“二十一世紀的矽積體電路技術”。本書收集的納米技術時代的高端矽基SOI材料方面的研究論文40篇,主要內容包括:SOI納米技術時代的高端矽基材料進展,SOI新材料的製備科學,SOI材料與器件特有的物理效應,絕緣體上鍺矽(silicongermaniumoninsulator,SGOI)新結構和應變矽的製備科學,SOI技術的若干套用研究等。書中包含了高端矽基材料前沿領域的多方面創新研究成果。
本書可作為微電子、光電子、微機械、半導體材料、納米材料等專業的大專院校師生和專業技術人員重要的參考書,也可以作為信息領域其他專業的師生、科研人員和工程技術人員參考資料。

出版信息

I S B N :9787312022333
作 者:林成魯
出 版 社:科技大學
出版時間:2009-06-01
版 次:初版
開 本:16開
包 張:平裝

目錄

SOI納米技術時代的高端矽基材料進展
納米技術時代的高端矽基材料SOI、sSOI和GOI
SOI技術的發展動態
矽基光電子材料和器件的進展和發展趨勢
FabricationofSiGe-on-insulatorandapplicationsforstrainedSi
OverviewofSOImaterialstechnologyinChina
SOI新材料的製備科學
以注氧隔離(SIMOX)技術製備高阻SOI材料
矽中注H+引起的缺陷和應力以及剝離的機制
以AlN為絕緣埋層的新結構SOAN材料
多孔矽外延層轉移技術製備SOI材料
ELTRAN技術製備雙埋層SOIM新結構
SOI新結構SOI研究的新動向
Fabricationofsilicon.on.AlNnovelstructureanditsresidualstraincharacterization.
BuriedtungstensilicidelayerinsilicononinsulatorsubstratebySmart-cut
Voidfreelow-temperaturesilicondirectbondingtechniqueusingplasmaactivation
MicrostructureandcrystallinityofporoussiliconandepitaxialsiliconlayersfabricatedonP+poroussilicon
Formationofsilicon-on-diamondbydirectbondingofplasma-synthesizeddiamond-likecarbontosilicon
Thermalstabilityofdiamondlikecarbonburiedlayerfabricatedbyplasmaimmersionionimplantationanddepositioninsilicononinsulator
StudyofSOIsubstratesincorporatedwithburiedMoSizlayer
SOI材料與器件特有的物理效應
S0IMOSFET浮體效應研究
SOIMOSFET的自加熱效應研究
S0I器件的輻射效應及其在抗輻射電子學方面的套用進展
EvolutionofhydrogenandheliumCO-implantedsingle-crystalsiliconduringannealing
ComparisonbetweenthedifferentimplantationordersinH+andHe+co-implantation
ComparisonofCugetteringtoH~andHe+implantation-inducedcavitiesinseparation-by-implantation-of-oxygenwafers
GetteringofCubymicrocavitiesinbonded/ion-cutsilicon-on-insulatorandseparationbyimplantationofoxygen
SGOI新結構和應變矽的製備科學
SIMOX技術製備SGOI新結構的研究
改良型Ge濃縮技術製備SGOI及應變Si研究
Relaxedsilicon-germanium-on-insulatorsubstratesbyoxygenimplantationintopseudomorphicsilicongermanium/siliconheterostructure
GermaniummovementmechanisminSiGe-on-insulatorfabricatedbymodifiedGecondensation
InvestigationofrelaxedSiGeoninsulatorandstrainedSi
SOI技術的若干套用研究
納米MOSFET/SOI器件新結構
SOI襯底上的無源器件研究
SGOI襯底上高k柵介質的研究
Highfrequencycapacitance-voltagecharacterizationofA1203/ZrO2/A1203infullydepletedsilicon-on,insulatormetal-oxide-semiconductorcapacitors
Numericalstudyofself-heatingeffectsofMOSFETsfabricatedonSOANsubstrate
Sil-xGex/Siresonant-cavity-enhancedphotodetectorswithasilicon-on-oxidereflectoroperatingnear1.3μm
Totaldoserad-hardimprovementforsilicon-on-insulatormaterialsbymodifyingtheburiedoxidewithionimplantation
InvestigationofH+andB+/H+implantationinLiTaO3single-crystals
InvestigationofSO1substratesincorporatedwithburiedMoSi2forhighfrequencySiGeHBTs

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