SIMOX SOI晶片是在高溫條件下，將高劑量氧離子注入到單晶矽中形成隔離層，在超高溫退火條件下形成頂層矽、二氧化矽埋層、體矽三層結構的新型半導體材料。主要用於製造高速微處理器、高速通訊、三維圖象處理、先進多媒體電路、低壓低功耗移動計算機、行動電話、攜帶型電子設備電路。
技術特點：
１.可實現完全介質隔離
２.低壓、低功耗
３.運行速度快
４.抗輻射性能好
５.耐高溫
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