主要特點
SDRAM記憶體SDRAM曾經是長時間使用的主流記憶體，從430TX晶片組到845晶片組都支持SDRAM。但隨著DDRSDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市場。記憶體一般採用半導體存儲單元，包括隨機存儲器（RAM），唯讀存儲器（ROM），以及高速快取（CACHE）。只不過因為RAM是其中最重要的存儲器。
S（synchronous）DRAM 同步動態隨機存取存儲器：SDRAM為168腳，這是目前PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使CPU和RAM能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，每一個時鐘脈衝的上升沿便開始傳遞數據，速度比EDO記憶體提高50%。
DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新換代產品，他允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿傳輸數據，這樣不需要提高時鐘的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。
區別
DDR2與DDR的區別
與DDR相比，DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下，可以提供相當於DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR記憶體只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2記憶體上仍然只有一個DRAM核心，但是它可以並行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。
與雙倍速運行的數據緩衝相結合，DDR2記憶體實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統DDR記憶體可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在於，它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。
然而，儘管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體，因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR記憶體為184針；其次，DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR記憶體的2.5V不同。
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）進行開發的新生代記憶體技術標準，它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是，雖然同是採用了在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2記憶體卻擁有兩倍於上一代DDR記憶體預讀取能力（即4bit數據預讀取）。換句話說，DDR2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫數據，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度運行。
此外，由於DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式，而不同於目前廣泛套用的TSOP/TSOP-II封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程，從第一代套用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發展也走到了技術的極限，已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發展，前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高，擁有更高更穩定運行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。
技術進展
自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主機板晶片組推出後，EDO DRAM記憶體性能再也無法滿足需要了，記憶體技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求，此時記憶體開始進入比較經典的SDRAM時代。
第一代SDRAM 記憶體為PC66 規範，但很快由於Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz，所以PC66記憶體很快就被PC100記憶體取代，接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨，PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能，頻寬提高到1GB/sec以上。由於SDRAM 的頻寬為64bit，正好對應CPU 的64bit 數據匯流排寬度，因此它只需要一條記憶體便可工作，便捷性進一步提高。在性能方面，由於其輸入輸出信號保持與系統外頻同步，因此速度明顯超越EDO 記憶體。
不可否認的是，SDRAM 記憶體由早期的66MHz，發展後來的100MHz、133MHz，儘管沒能徹底解決記憶體頻寬的瓶頸問題，但此時CPU超頻已經成為DIY用戶永恆的話題，所以不少用戶將品牌好的PC100品牌記憶體超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功，值得一提的是，為了方便一些超頻用戶需求，市場上出現了一些PC150、PC166規範的記憶體。
SDRAM記憶體儘管SDRAM PC133記憶體的頻寬可提高頻寬到1064MB/S，加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計畫，所以SDRAM PC133記憶體不能滿足日後的發展需求，此時，Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM記憶體（稱為RDRAM記憶體）。與SDRAM不同的是，其採用了新一代高速簡單記憶體架構，基於一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing，精簡指令集計算機，這個理論可以減少數據的複雜性，使得整個系統性能得到提高。
在AMD與Intel的競爭中，這個時候是屬於頻率競備時代，所以這個時候CPU的主頻在不斷提升，Intel為了蓋過AMD，推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器，因此Rambus DRAM記憶體是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐧，Rambus DRAM記憶體以高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量，因此記憶體頻寬相當出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits頻寬可達到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。
儘管如此，Rambus RDRAM 記憶體生不逢時，後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位，在當時，PC600、PC700的Rambus RDRAM 記憶體因出現Intel820 晶片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平台高高在上，無法獲得大眾用戶擁戴，種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規範RDRAM來力挽狂瀾，但最終也是拜倒在DDR 記憶體面前。
1、DDR時代
DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM)簡稱DDR，也就是“雙倍速率SDRAM”的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本， DDR在時鐘信號上升沿與下降沿各傳輸一次數據，這使得DDR的數據傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由於僅多採用了下降緣信號，因此並不會造成能耗增加。至於定址與控制信號則與傳統SDRAM相同，僅在時鐘上升緣傳輸。
DDR 記憶體是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案，其目的是迅速建立起牢固的市場空間，繼而一步步在頻率上高歌猛進，最終彌補記憶體頻寬上的不足。第一代DDR200 規範並沒有得到普及，第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鐘×2倍數據傳輸=266MHz頻寬）是由PC133 SDRAM記憶體所衍生出的，它將DDR 記憶體帶向第一個高潮，目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的記憶體，其後來的DDR333記憶體也屬於一種過度，而DDR400記憶體成為目前的主流平台選配，雙通道DDR400記憶體已經成為800FSB處理器搭配的基本標準，隨後的DDR533 規範則成為超頻用戶的選擇對象。
2、DDR2時代
隨著CPU 性能不斷提高，我們對記憶體性能的要求也逐步升級。不可否認，緊緊依高頻率提升頻寬的DDR遲早會力不從心，因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準，加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2記憶體的支持，所以DDR2記憶體將開始演義記憶體領域的今天。
DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的頻寬，而且其接口將運行於1.8V 電壓上，從而進一步降低發熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升記憶體頻寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2記憶體將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2記憶體將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II記憶體將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2記憶體將採用0.13微米的生產工藝，記憶體顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
記憶體技術在2005年將會毫無懸念，SDRAM為代表的靜態記憶體在五年內不會普及。QBM與RDRAM記憶體也難以挽回頹勢，因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。
SDRAM記憶體PC-100的“接班人”除了PC一133以外，VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”，這也是目前大多數較新的晶片組支持的一種記憶體標準，VCM記憶體主要根據由NEC公司開發的一種“快取式DRAM”技術製造而成，它集成了“通道快取”，由高速暫存器進行配置和控制。在實現高速數據傳輸的同時，VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM記憶體稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在於不論是否經過CPU處理的數據，都可先交於VCM進行處理，而普通的SDRAM就只能處理經CPU處理以後的數據，所以VCM要比SDRAM處理數據的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的晶片組很多，包括：Intel的815E、VIA的694X等。
RDRAM
Intel在推出：PC-100後，由於技術的發展，PC-100記憶體的800MB/s頻寬已經不能滿足需求，而PC-133的頻寬提高並不大(1064MB/s)，同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨占市場的目的，與Rambus公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。
Rambus使用400MHz的16bit匯流排，在一個時鐘周期內，可以在上升沿和下降沿的同時傳輸數據，這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz，理論頻寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s，相當於PC-100的兩倍。另外，Rambus也可以儲存9bit位元組，額外的一比特是屬於保留比特，可能以後會作為ECC(ErroI·Checking and Correction，錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鐘可以高達400MHz，而且僅使用了30條銅線連線記憶體控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus內嵌式記憶體模組)，減少銅線的長度和數量就可以降低數據傳輸中的電磁干擾，從而快速地提高記憶體的工作頻率。不過在高頻率下，其發出的熱量肯定會增加，因此第一款Rambus記憶體甚至需要自帶散熱風扇。
3、DDR3時代
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠達到2000Mhz的速度，儘管目前最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3記憶體模組仍會從1066Mhz起跳。
一、DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計：
1．8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM核心的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。
2．採用點對點的拓樸架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。
3．採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。
