Penryn
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採用了45納米高-k製造技術(採用鉻合金高-K與金屬柵極電晶體設計),並對酷睿微體系結構進行了增強。其中,即將於下半年推出的Penryn家族有6款產品,包括台式機處理器(雙核和四核)、移動處理器(雙核),以及伺服器處理器(雙核和四核)。面向更高端伺服器多處理系統的處理器目前正在研發之中。雙核處理器中的矽核尺寸為107平方毫米,比英特爾目前的65納米產品小了25%,大約僅為普通郵票的四分之一大小,為添加新的特性、實現更高性能提供了更多自由空間。同時,由於減少了漏電流,因而可以降低功耗,新一代處理器能夠以相同甚至更低的功耗運行,全新的特性:快速Raidix-16除法器、增強型虛擬化技術、更大的高速快取、分離負載高速快取增強、更高的匯流排速度、英特爾SSE4指令、超級Shuffle引擎、深層關機技術、增強型動態加速技術、插槽兼容等。這些新特性使得Penryn能在性能、功耗、數字媒體套用。
Penryn具體參數
IntelCore2QuadY8XXX("Y"指核心代號“Yorkfield”)
低端處理器:
主頻2.13GHz(外頻266MHz*倍頻8)4MLv2快取FSB1066MHz45nm製程
中端處理器:
1.主頻2.33GHz(外頻333MHz*倍頻7)8MLv2快取FSB1333MHz(外頻333MHz*4"四線並發技術")45nm製程
2.主頻2.67GHz(外頻333MHz*倍頻8)8MLv2快取FSB1333MHz45nm製程
高端處理器:
1.主頻3.0GHz(外頻333MHz*倍頻9)12MLv2快取FSB1333MHz45nm製程
2.主頻3.33GHz(外頻333MHz*倍頻10)12MLv2快取FSB1333MHz45nm製程
至尊版:
主頻3.66GHz(外頻333MHz*倍頻11)12MLv2快取FSB1333MHz45nm製程
採用了45nm製作工藝
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英特爾45納米處理器材用量人高-K金屬柵極技術,使得電晶體漏電量更低,提高轉換速度;電晶體數目大約是65nm技術的兩倍,從而將性能和功效提升至新水平。處理器採用45納米生產工藝製造,有助於提升個人電腦的運算速度,降低耗電量,延長電池續航時間,在保護環境的同時,其更小的體積也使得電腦可以設計得更加時尚、輕巧。
電晶體數量大提升
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英特爾共發布了16款Penryn處理器,主要面向伺服器和高端PC。這些產品採用了更先進的45納米生產工藝,其中最複雜的一款擁有8.2億個電晶體。英特爾上一代產品主要採用65納米生產工藝,最複雜的一款處理器擁有5.82億個電晶體。隨著生產工藝的不斷提升,英特爾可以在處理器上部署更多電晶體,從而提升處理器性能,並降低生產成本。
提高產品性能
英特爾酷睿2微架構的核心架構特性包括:英特爾寬區動態執行:
更寬:一個完整的4道寬超標量流水線可在每時鐘周期以恆定速率獲取、解碼、執行和返回4條完整的指令,而前一代的英特爾酷睿雙核處理器只能處理3條完整的指令。
更深:快取尺寸大小最佳化了有效的指令數,允許處理器深入監測程式流以發現能夠並行執行的指令。
更快:效率最佳化過的流水線,通過提高頻率同時提高每時鐘周期內發布的指令數,改善了非常短且高效的14級流水線的架構的關鍵路徑。
更智慧型:宏融合將通常使用的指令序列,融合為單條指令以供執行,減少了內部資源需求並且增加了每時鐘周期的指令數,這樣可以返回5條指令,而以前完成同樣的工作只能返回4條指令。
最高達6MB的L2二級快取
移動處理器二級快取的重要性不言而喻,Penryn處理器把處理器的二級快取增加到了6MB,更有效地提高了性能。
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改變原料
英特爾表示,其新一代處理器已經不再使用鉛作為原料,預計到2008年將停止使用鹵素。通過這些舉措,英特爾處理器對於環境的危害將大大降低。英特爾新型處理器的一個最大特點是採用了鉿,可以有效地解決電泄漏的問題,使處理器功耗效率提升了30%。隨著電晶體的體積不斷縮小,電泄漏也更加嚴重,導致處理器發熱和功耗過大的問題日益突出。從某種程度上講,電泄漏已經成為阻礙處理器性能進一步提升的瓶頸。
新技術新指令
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關鍵技術--High--K
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Penryn讓迅馳平台性能提升
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按照整個迅馳平台的發展來看,雖然說45nm的Penryn處理器具有不俗的意義,但它依然還是基於SantaRosa的迅馳四平台。這次發布的Penryn處理器共有四款,從型號和參數上很容易可以區別出它們的性能高低。其中T8000系列為採用3MB二級快取的產品,主頻也相對較低;而T9000系列則是新一代Penryn中的高端產品。與之前的T7000系列移動處理器相比,在主頻方面都有所提升。