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亞微米和深亞微米MOS器件
亞微米和深亞微米MOS器件，通常把0.8－0.35um稱為亞微米，屬電子工程器件。
亞微米和深亞微米MOS器件 深亞微米電路設計對設計流程的影響 -
MOS、CMOS積體電路
MOS積體電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。PMO...
MOS/CMOS積體電路 CMOS積體電路的性能及特點 CMOS積體電路的工作原理 -
MOS管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。...
定義 詳細介紹 主要參數 發熱分析 常見型號 -
微納米MOS器件可靠性與失效機理
《 微納米MOS器件可靠性與失效機理》是2008 年科學出版社出版的圖書。
內容簡介 圖書目錄 -
浮柵雪崩注入MOS器件
"浮柵雪崩注入MOS器件（Floatin MOS，FAMOS）：這是一種浮置柵結構的存儲器件。 (因浮柵中的電子在吸收光子後可越過勢壘進入SiO2層
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用於VLSI模擬的小尺寸MOS器件模型
內容介紹本書介紹了超大規模積體電路模擬中小尺寸MOS器件模型及模型參數的提取，書中從基本半導體器件物理和pn結理論入手，順序介紹了MOS電容...參數統計變化。本書可供從事MOSFET器件模型、模擬和ICCAD研究...
內容介紹 -
MOS電晶體
mos電晶體，金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的電晶體簡稱MOS電晶體，有MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路。
產品介紹 開通過程 影響因素 轉移特性 襯底偏置效應 -
MOS積體電路
MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應電晶體為主要元件構成的積體電路。
MOS積體電路 類型 研發和推廣 相關連線 -
MOS SRAM
為了分析單粒子事件對衛星光通信系統造成的影響,需要預估器件的單粒子翻轉率。通過比較微分能譜方法和FOM方法,選取FOM方法估算了在不同高度和不同傾角下的...
MOS SRAM 正文 配圖 相關連線 -
電晶體[半導體器件]
電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關，能夠基於輸入電壓控...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑
