內容簡介
微納米MOS器件可靠性與失效機理圖書目錄
序
前言
第1章 VLSI發展與可靠性研究進展
1.1 VLSI的發展規律
1.2 VLSI的主要可靠性問題
1.3 VLSI的可靠性研究現狀
1.3.1 微納MOS器件的熱載流子效應
1.3.2 微納MOS器件的NBTI效應
1.3.3 SOI器件的可靠性問題
1.3.4 超薄柵氧化層介質的可靠性
1.3.5 靜電損傷和閂鎖效應
1.3.6ULSI中銅互連可靠性相關技術
1.3.7 非揮發性存儲器的可靠性
1.3.8 電漿工藝的可靠性
1.3.9 封裝與裝配可靠性
1.3.10 微電子機械系統和化合物半導體可靠性
1.3.11 VLSI失效分析技術
1.3.12 VLSI可靠性仿真技術
參考文獻
第2章 微納米MOS器件的熱載流子效應
2.1 MOS器件的熱載流子效應
2.2 微納MOS器件的熱載流子效應
2.3 動態應力下MOS器件的熱載流子效應
2.4 熱載流子效應的測量和表征技術
2.4.1 電流-電壓特性測試
2.4.2 電荷泵測試
2.4.3 襯底熱載流子效應測試
2.5 nMOS器件的襯底電流和溝道電流分布建模
2.5.1 幸運熱載流子模型
2.5.2 溝道電流和襯底電流的二維分布建模
2.5.3 溝道電流和襯底電流二維分布模型的計算與比較
2.6 nMOS器件的柵電流分布建模
2.6.1發射電流和柵電流分布模型
2.6.2 nMOS器件的電子柵電流分布建模
2.6.3 nMOS器件的空穴柵電流分布建模
2.6.4 模型涉及參量的修正與選擇
2.6.5 發射電流和柵電流的分布特性
2.7 nMOS器件的高溫熱載流子退化
2.7.1 nMOS器件的高溫熱載流子退化
2.7.2 pMOS器件的高溫熱載流子退化
2.7.3 標準0.18umCMOS工藝的高溫可靠性測試標準
2.8 超深亞微米LDD MOS器件模型
2.8.1 LDD nMOS器件的本徵電流、電壓特性模型
2.8.2 LDD nMOS器件的源漏串聯電阻模型
2.8.3 亞閾區模型
2.8.4 模擬結果與分析
參考文獻
第3章 MOS器件的熱載流子損傷特性及物理模型
3.1 pMOS器件損傷電子柵電流模型的建立及驗證
3.1.1 電子柵電流模型的建立
3.1.2 電子柵電流模型的驗證
3.2 模型揭示的器件損傷特性
3.2.1 陷入電子電荷分布特性
3.2.2 損傷電子柵電流分布特性
3.2.3 應力期間電子柵電流的拐角特性
3.3 建立器件壽命物理模型的必要性
3.4界面態產生動力學模型新解
3.5 pMOS線性區器件損傷與壽命的物理模型
3.5.1 線性區漏源電流表征的器件損傷與壽命
3.5.2 線性區跨導表征的器件損傷與壽命
3.6 pMOS飽和區器件損傷與壽命的物理模型
3.6.1 飽和區漏源電流表征的器件損傷與壽命
3.6.2 飽和區跨導表征的器件損傷與壽命
3.7 注入電荷總量表征的pMOS器件壽命物理模型
3.8 熱載流子效應誘生的nMOS器件損傷
……
第4章 超薄柵氧化層的經時擊穿效應
第5章 微納米MOS器件的NBTI效應
第6章 微納米MOS器件的耦合效應
第7章 電漿工藝及誘生的器件失效
第8章 CMOS器件的ESD與損傷機理
第9章 ULSI中銅互連可靠性相關技術
第10章 微納米MOS器件的可靠性加固方法
第11章 VLSI可靠性評價與估計
