MOS SRAM

為了分析單粒子事件對衛星光通信系統造成的影響,需要預估器件的單粒子翻轉率。通過比較微分能譜方法和FOM方法,選取FOM方法估算了在不同高度和不同傾角下的單粒子翻轉率。分析了質子單粒子翻轉率與空間軌道的關係。提出了基於單粒子翻轉率的器件可靠性指標。數值計算結果表明,在較低軌道高度和較小軌道傾角條件下,SRAM/MOS器件受單粒子翻轉影響較小、可靠性較高。