浮柵雪崩注入MOS器件

"浮柵雪崩注入MOS器件（Floatin MOS，FAMOS）：這是一種浮置柵結構的存儲器件。 (因浮柵中的電子在吸收光子後可越過勢壘進入SiO2層

浮柵雪崩注入MOS器件（Floating gate Avalanche-injection MOS，FAMOS）：這是一種浮置柵結構的存儲器件。
FAMOS一般採用p-MOSFET結構, 只是增加一個多晶矽浮柵；該浮柵被優質SiO2包圍之，以很好保存電荷。器件工作的常態為截止狀態 (無溝道)，當源-漏電壓Vds足夠大 (如-30V) 時, 漏結將發生雪崩倍增效應而產生出大量的電子-空穴對；其中空穴進入襯底, 而部分高能電子可越過勢壘注入浮柵；當浮柵所帶的負電荷足夠多時, 即使得半導體表面反型而形成溝道, 從而使MOS器件導通。這就是說, 器件開始時是截止的, 發生雪崩注入後才導通（據此即可檢測浮柵中存儲的信號）。存儲在浮柵中的電子可用紫外光照射來釋放 (因浮柵中的電子在吸收光子後可越過勢壘進入SiO2層, 然後再進入襯底而釋放掉)，因此FAMOS是一種可存儲、可擦除信號的器件。如果在浮柵之上再增加一個柵極，即可簡單地實現電擦除。