淺析IGBT驅動
絕緣柵雙極電晶體 IGBT 是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率電晶體 GTR 和功率場效應管 MOSFET 的優點於一身，具有易於驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 的特點，是目前發展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛套用於小體積、高效率的變頻電源、電機調速、 UPS 及逆變焊機當中。 IGBT 的驅動和保護是其套用中的關鍵技術。在此根據長期使用 IGBT 的經驗並參考有關文獻對 IGBT 的門極驅動問題做了一些總結，希望對廣大 IGBT 套用人員有一定的幫助。
1 IGBT 門極驅動要求
1.1 柵極驅動電壓
因 IGBT 柵極 - 發射極阻抗大，故可使用 MOSFET 驅動技術進行驅動，但 IGBT 的輸入電容較 MOSFET 大，所以 IGBT 的驅動偏壓應比 MOSFET 驅動所需偏壓強。圖 1 是一個典型的例子。在 +20 ℃情況下，實測 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 開通電壓閥值為 5 ～ 6 V ，在實際使用時，為獲得最小導通壓降，應選取 Ugc ≥ (1.5 ～ 3)Uge(th) ，當 Uge 增加時，導通時集射電壓 UCE 將減小，開通損耗隨之減小，但在負載短路過程中 Uge 增加，集電極電流 Ic 也將隨之增加，使得 IGBT 能承受短路損壞的脈寬變窄，因此 Ugc 的選擇不應太大，這足以使 IGBT 完全飽和，同時也*了短路電流及其所帶來的應力 ( 在具有短路工作過程的設備中，如在電機中使用 IGBT 時， +Uge 在滿足要求的情況下儘量選取最小值，以提高其耐短路能力 ) 。
1.2 對電源的要求
對於全橋或半橋電路來說，上下管的驅動電源要相互隔離，由於 IGBT 是電壓控制器件，所需要的驅動功率很小，主要是對其內部幾百至幾千皮法的輸入電容的充放電，要求能提供較大的瞬時電流，要使 IGBT 迅速關斷，應儘量減小電源的內阻，並且為防止 IGBT 關斷時產生的 du/dt 誤使 IGBT 導通，應加上一個 -5 V 的關柵電壓，以確保其完全可靠的關斷 ( 過大的反向電壓會造成 IGBT 柵射反向擊穿，一般為 -2 ～ 10 V 之間 ) 。
1.3 對驅動波形的要求
從減小損耗角度講，門極驅動電壓脈衝的上升沿和下降沿要儘量陡峭，前沿很陡的門極電壓使 IGBT 快速開通，達到飽和的時間很短，因此可以降低開通損耗，同理，在 IGBT 關斷時，陡峭的下降沿可以縮短關斷時間，從而減小了關斷損耗，發熱量降低。但在實際使用中，過快的開通和關斷在大電感負載情況下反而是不利的。因為在這種情況下， IGBT 過快的開通與關斷將在電路中產生頻率很高、幅值很大、脈寬很窄的尖峰電壓 LDI/dt ，並且這種尖峰很難被吸收掉。此電壓有可能會造成 IGBT 或其他元器件被過壓擊穿而損壞。所以在選擇驅動波形的上升和下降速度時，應該考慮軟關斷技術，實際套用中，初了根據電路中元件的耐壓能力及 du/dt 吸收電路性能綜合考慮外，如果是大功率或者要求較高的場合，必須考慮軟關斷技術，軟關斷技術電路複雜，成本相對較高，但從能耗與設備穩定性上講，是簡單的驅動無法代替的。
1.4 對驅動功率的要求
由於 IGBT 的開關過程需要消耗一定的電源功率，最小峰值電流可由下式求出：
I GP = △ U ge /R G +R g ；
式中△ Uge=+Uge+|Uge| ； RG 是 IGBT 內部電阻； Rg 是柵極電阻。
驅動電源的平均功率為：
P AV =C ge △ Uge 2 f,
式中． f 為開關頻率； Cge 為柵極電容。
1.5 柵極電阻
為改變控制脈衝的前後沿陡度和防止震盪，減小 IGBT 集電極的電壓尖峰，應在 IGBT 柵極串上合適的電阻 Rg 。當 Rg 增大時， IGBT 導通時間延長，損耗發熱加劇； Rg 減小時， di/dt 增高，可能產生誤導通，使 IGBT 損壞。應根據 IGBT 的電流容量和電壓額定值以及開關頻率來選取 Rg 的數值。通常在幾歐至幾十歐之間 ( 在具體套用中，還應根據實際情況予以適當調整 ) 。另外為防止門極開路或門極損壞時主電路加電損壞 IGBT ，建議在柵射間加入一電阻 Rge ，阻值為 10 k Ω左右。
1.6 柵極布線要求
合理的柵極布線對防止潛在震盪，減小噪聲干擾，保護 IGBT 正常工作有很大幫助。
a ．布線時須將驅動器的輸出級和 lGBT 之間的寄生電感減至最低 ( 把驅動迴路包圍的面積減到最小 ) ；
b ．正確放置柵極驅動板或禁止驅動電路，防止功率電路和控制電路之間的耦合；
c ．應使用輔助發射極端子連線驅動電路；
d ．驅動電路輸出不能和 IGBT 柵極直接相連時，應使用雙絞線連線 (2 轉／ cm) ；
e ．柵極保護，箝位元件要儘量靠近柵射極。
1.7 隔離問題
由於功率 IGBT 在電力電子設備中多用於高壓場合，所以驅動電路必須與整個控制電路在電位上完全隔離，主要的途徑及其優缺點如表 1 所示。
表1 驅動電路與控制電路隔離的途徑及優缺點
利用光電耦合器進行隔離
優點：體積小、結構簡單、套用方便、輸出脈寬不受*，適用於 PWM 控制器
缺點
1 、共模干擾抑制不理想
2 、回響速度慢，在高頻狀態下套用受*
3 、需要相互隔離的輔助電源
利用脈衝變壓器進行隔離
優點：回響速度快，共模干擾抑制效果好
缺點：
1 、信號傳送的最大脈衝寬度受磁芯飽和特性的*，通常不大於 50 ％，最小脈寬受磁化電流*
2 、受漏感及集膚影響，加工工藝複雜
2 典型的門極驅動電路介紹
2.1 脈衝變壓器驅動電路
脈衝變壓器驅動電路如圖 2 所示， V1 ～ V4 組成脈衝變壓器一次側驅動電路，通過控制 V1 、 V4 和 V2 、 V3 的輪流導通，將驅動脈衝加至變壓器的一次側，二次側通過電阻 R1 與 IGBT5 柵極相連， R1 、 R2 防止 IGBT5 柵極開路並提供充放電迴路， R1 上並聯的二極體為加速二極體，用以提高 IGBT5 的開關速度，穩壓二極體 VS1 、 VS2 的作用是*加在 IGBT5g-e 端的電壓，避免過高的柵射電壓擊穿柵極。柵射電壓一般不應超過 20 V 。
圖 2 脈衝變壓器驅動電路
2.2 光耦隔離驅動電路
光耦隔離驅動電路如圖 3 所示。由於 IGBT 是高速器件，所選用的光耦必須是小延時的高速型光耦，由 PWM 控制器輸出的方波信號加在三極體 V1 的基極， V1 驅動光耦將脈衝傳遞至整形放大電路 IC1 ，經 IC1 放大後驅動由 V2 、 V3 組成的對管 (V2 、 V3 應選擇β >100 的開關管 ) 。對管的輸出經電阻 R1 驅動 IGBT4 ， R3 為柵射結保護電阻， R2 與穩壓管 VS1 構成負偏壓產生電路， VS1 通常選用 1 W/5.1 V 的穩壓管。此電路的特點是只用 1 組供電就能輸出正負驅動脈衝，使電路比較簡潔。
圖 3 光耦隔離驅動電路
2.3 驅動模組構成的驅動電路
套用成品驅動模組電路來驅動 IGBT ，可以大大提高設備的可靠性，目前市場上可以買到的驅動模組主要有：富士的 EXB840、841，三菱的 M57962L，落木源的KA101、KA102，惠普的 HCPL316J、3120 等。這類模組均具備過流軟關斷、高速光耦隔離、欠壓鎖定、故障信號輸出功能。由於這類模組具有保護功能完善、免調試、可靠性高的優點，所以套用這類模組驅動 IGBT 可以縮短產品開發周期，提高產品可靠性。 EXB840 和 M57962 很多資料都有介紹，KA101和KA102的資料可以查看網站http://www.pwrdriver.com/product/ka101.php，這裡就簡要介紹一下惠普公司的 HCPL316J 。典型電路如圖 4 所示。
圖 4 由驅動模組構成的驅動電路
HCPL316J 可以驅動 150 A/1200 V 的 IGBT ，光耦隔離， COMS/TTL 電平兼容，過流軟關斷，最大開關速度 500 ns ，工作電壓 15 ～ 30 V ，欠壓保護。輸出部分為三重複合達林頓管，集電極開路輸出。採用標準 SOL-16 表面貼裝。
HCPL316J 輸入、輸出部分各自排列在積體電路的兩邊，由 PWM 電路產生的控制信號加在 316j 的第 1 腳，輸入部分需要 1 個 5 V 電源， RESET 腳低電平有效，故障信號輸出由第 6 腳送至 PWM 的關閉端，在發生過流情況時及時關閉 PWM 輸出。輸出部分採用 +15 V 和 -5 V 雙電源供電，用於產生正負脈衝輸出， 14 腳為過流檢測端，通過二極體 VDDESAT 檢測 IGBT 集電極電壓，在 IGBT 導通時，如果集電極電壓超過 7 V ，則認為是發生了過流現象， HCPL316J 慢速關斷 IGBT ，同時由第 6 腳送出過流信號。
3 結語
通過對 IGBT 門極驅動特點的分析及典型套用電路的介紹，使大家對 IGBT 的套用有一定的了解。可作為設計 IGBT 驅動電路的參考。
目前絕緣柵器件(IGBT)驅動技術現狀
現有技術概述
開關電源中大功率器件驅動電路的設計一向是電源領域的關鍵技術之一。普通大功率三極體和絕緣柵功率器件(包括VMOS場效應管和IGBT絕緣柵雙極性大功率管等),由於器件結構的不同,具體的驅動要求和技術也大不相同。前者屬於電流控制器件,要求合適的電流波形來驅動;後者屬於電場控制器件,要求一定的電壓來驅動。本文只介紹後者的情況。
VMOS場效應管(以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件)的源極和柵極之間是絕緣的二氧化矽結構，直流電不能通過,因而低頻的靜態驅動功率接近於零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和關斷時需要一定的動態驅動功率。小功率vmos管的Cgs一般在10-100pF之內,對於大功率的絕緣柵功率器件,由於柵極電容Cgs較大，在1-100nF,甚至更大,因而需要較大的動態驅動功率。更由於漏極到柵極的密勒電容Cdg,柵極驅動功率是不可忽視的。
為可靠驅動絕緣柵器件，目前已有很多成熟電路。當驅動信號與功率器件不需要隔離時，驅動電路的設計是比較簡單的，目前也有了一些優秀的驅動積體電路，如IR2110。當需要驅動器的輸入端與輸出端電氣隔離時，一般有兩種途徑：採用光電耦合器，或是利用脈衝變壓器來提供電氣隔離。
光電耦合器的優點是體積小巧,缺點是：A.反應較慢，因而具有較大的延遲時間(高速型光耦一般也大於500ns)；B.光電耦合器的輸出級需要隔離的輔助電源供電。
用脈衝變壓器隔離驅動絕緣柵功率器件有三種方法：無源、有源和自給電源驅動。
無源方法就是用變壓器次級的輸出直接驅動絕緣柵器件，這種方法很簡單，也不需要單獨的驅動電源，但由於絕緣柵功率器件的柵源電容Cgs一般較大，因而柵源間的波形Vgs將有明顯變形，除非將初級的輸入信號改為具有一定功率的大信號，相應脈衝變壓器也應取較大體積。
有源方法中的變壓器只提供隔離的信號，在次級另有整形放大電路來驅動絕緣柵功率器件，當然驅動波形好，但是需要另外提供隔離的輔助電源供給放大器。而輔助電源如果處理不當，可能會引進寄生的干擾。
自給電源方法的已有技術是對PWM驅動信號進行高頻(1MHz以上)調製，該信號加在隔離脈衝變壓器的初級，在次級通過直接整流得到自給電源，而原PWM調製信號則需經過解調取得，顯然，這種方法並不簡單, 價格當然也較高。調製的優點是可以傳遞的占空比不受*。
分時式自給電源是北京落木源公司的創新技術，其特點是變壓器在輸入PWM信號的上升和下降沿只傳遞PWM信息，在輸入信號的平頂階段傳遞驅動所需要的能量，因而波形失真很小。這種技術的缺點是占空比一般只能達到5－95％。
市場上的驅動器產品簡介
當前市場上的成品驅動器,按驅動信號與被驅動的絕緣柵器件的電氣關係來分,可分為直接驅動和隔離驅動兩種,其中隔離驅動的隔離元件有光電耦合器和脈衝變壓器兩種。
不隔離的直接驅動器
在Boost、全波、正激或反激等電路中，功率開關管的源極位於輸入電源的下軌，PWM IC輸出的驅動信號一般不必與開關管隔離，可以直接驅動。如果需要較大的驅動能力,可以加接一級放大器或是串上一個成品驅動器。直接驅動的成品驅動器一般都採用薄膜工藝製成IC電路，調節電阻和較大的電容由外引腳接入。
目前的成品驅動器種類不少，如TI公司的UCC37XXX系列，TOSIBA公司的TPS28XX系列，Onsemi公司的MC3315X系列，SHARP公司的PC9XX系列，IR公司的IR21XX系列，等等，種類繁多，本文不作具體介紹，讀者可查閱相關資料。
使用光電耦合器的隔離驅動器
隔離驅動產品絕大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅動信號和被驅動的絕緣柵器件，採用厚膜工藝製成HIC電路，部分阻容元件也由引腳接入。
目前市售的光電耦合型驅動器產品，主要有FUJI公司的EXB8XX系列、MITSUBISHI公司的M579XX系列、英達公司的HR065和西安愛帕克電力電子有限公司的HL402B等，以及北京落木源電子技術有限公司的TX-KA系列。TX-KA系列驅動器保護功能完善、工作頻率高、價格便宜，並能與多種其它類型的驅動器兼容。
此類產品，由於光電耦合器的速度*，一般工作頻率都在50KHz以下(TX-KA101可達80K)。它們的優點是，大部分具有過流保護功能，其過電流信號是從IGBT的管壓降中取得的；共同的缺點是需要一個或兩個獨立的輔助電源，因而使用較為麻煩。
由於成本問題，該類產品價格稍高，因此只適用於在大功率電源中驅動IGBT模組，在中小功率領域難以推廣使用。
變壓器隔離、一路電源輸入，自帶DC/DC輔助電源的驅動器
目前有CONCEPT公司的２SD315A和SEMIKRON公司的SKHI2及國內PSHI系列（PSHI23,PSHI23H,PSHI25 PSHI27）等，使用兩個脈衝變壓器傳遞半橋驅動信號，需要一路電源輸入，自帶一個DC/DC電源提供驅動所需的兩個輔助電源．輸出的驅動信號質量不錯，驅動能力也很強，但由於結構複雜，因而體積較大，價格不菲，只適用於特大功率電源中。上述兩種驅動板的信號傳遞採用的是調製技術。
北京落木源公司也開發了一款變壓器隔離的驅動器，型號為KB101，可以工作在較高的頻率上，但是需要用戶提供輔助電源。
北京融人電子開發和改進的PSHI系列，均採用變壓器隔離，隔離電壓較高，其中PSHI20（半橋）為PSHI系列針對高頻開發的一款經濟型驅動，不需要輔助電源，驅動能力較強，具有軟關斷功能，短路保護效果較好，連續短路保護靈敏度高與SKHI；變壓器隔離、調製式自給電源驅動器
調製式自給電源驅動器，採用變壓器進行電氣隔離，通過載頻傳遞驅動所需要的能量，通過調製信號傳遞PWM信息，因此可以通過0－100％占空比的PWM信號。目前的許多驅動板產品都採用這種技術，如西門康的SKHI27，PSHI27等。
單片式的調製驅動器，目前國外還未見有產品出售。但有一種2片組合式的，如UNITRODE公司的UC3724/25積體電路對，其中3724與驅動源相連，3725與被驅動的絕緣柵器件相連，3724與3725之間由用戶接入一個脈衝變壓器，在UC3724中將PWM信號調製到約１MHz的載波上，送到隔離脈衝變壓器的初級，次級輸出信號在UC3725中通過直接整流得到自給電源，通過解調取得原PWM信號。
國內的單片式調製驅動器，有北京落木源的TX-KE系列驅動器。
調製驅動器，除無需用戶提供輔助電源外，還具有隔離電壓高的特點，但是價格較高。
變壓器隔離、分時式自給電源驅動器
分時式自給電源驅動器產品的優點是：價格便宜，大中小功率的電源都可套用；驅動器自身不需要單獨的供電電源，簡化了電路；輸出驅動脈衝的延遲很少，上升和下降沿也相當陡峭；工作頻率較高；並且可在占空比5-95%的範圍內工作。
分時式自給電源驅動器的缺點是：當工作頻率較低時變壓器的體積較大，厚膜化困難，由於自給電源提供的能量有限、難以驅動300A/1200V以上的IGBT。
TX系列驅動器介紹
TX-KA系列IGBT驅動器
採用高速光電耦合器隔離，保護措施比較完備，具有信號*功能，可以最大限度地保護IGBT。其中多個型號與國外產品兼容。KA102具有完善的三段式短路保護，可以驅動2000A/1700V的IGBT。
TX-KB系列IGBT驅動器
採用變壓器隔離，工作頻率比較高，具有較完善的保護功能，具有信號*功能。
TX-KC系列IGBT驅動器
保護功能比較完善，具有信號*功能，採用變壓器隔離，次級採用分時自給電源，無需用戶提供隔離電源。
TX-KD系列IGBT驅動器
種類較多，採用變壓器隔離，次級採用分時自給電源，占空比可達5-95%，使用方便，價格較低廉，能驅動各種單管和半橋、雙正激、同步整流電路中的雙管，但一般不適用於很低頻率的情況。
TX-KE系列MOSFET、IGBT驅動器
變壓器隔離，採用調製技術，次級採用調製式自給電源，無需用戶提供隔離電源；PWM開關信息通過調製傳遞到次級。工作頻率範圍寬，占空比可在0－100％之間。
IGBT驅動器正常輸出波形的測試
帶保護功能的驅動器和驅動板，用戶如要測試正常的靜態(不加主電情況下)輸出波形，需要注意以下幾點： 1、如果功率管IGBT或MOSFET已經連線在電路中了，則加上驅動電源和PWM輸入信號，就可以在輸出端用示波器看到相應的輸出信號。 2、如果功率管沒有接，只是在做一個輸出測試，那么必須將應接功率管集電極和發射極(或漏極和源極)的兩點予以短路才行。因為如果集電極或漏極懸空，那么驅動器或驅動板將認為功率管處於短路狀態而啟動內部的保護機制，這時看到的將是驅動器輸出的保護信號波形，無論是波形形狀還是周期都與輸入的PWM信號完全不同。
IGBT驅動器短路保護功能的測試
IGBT在套用中要解決的主要問題就是如何在過流、短路和過壓的情況下對IGBT實行比較完善的保護。過流故障一般需要稍長的時間才使電源過熱，因此對它的保護都由主控制板來解決。過壓一般發生在IGBT關斷時，較大的di/dt在寄生電感上產生了較高的電壓，這需要用緩衝電路來鉗制，或者適當降低關斷的速率。短路故障發生後瞬時就會產生極大的電流，很快就會損壞IGBT，主控制板的過流保護根本來不及，必須由驅動電路或驅動器立刻加以保護。
因此驅動器的短路保護功能設計的是否完善，對電源的安全運行至關重要。拿到一個驅動電路，使用前先測試一下它的短路保護功能是否完善，是很有必要的。本文介紹兩種測試方法。
1、第一種測試方法
圖中PWM信號送到驅動器的信號輸入端，故障後再啟動電容Creset＝10nF，DHV是高反壓快恢復管，限流電阻Rlimit＝10－100R，電容C＝10－470uF。示波器可在驅動器的輸入和輸出端監測。如果不接Creset，則驅動器輸出端輸出的是約1ms的脈衝，也就是IGBT每1ms短路一次。考慮到有的IGBT在這種情況下時間長了仍有可能過熱燒毀，接入10nF的Creset後，則為約12ms短路一次，保證了IGBT的安全。
過流動作閾值設定電阻Rn的選取，請根據所試驅動器說明中的關於Rn的說明和所試驗IGBT的正向伏安特性曲線選取合適的阻值。
在單管電路的開關電源中，接入適當的Creset後，可以省去通常的短路信號反饋光耦，僅靠落木源驅動器自身就能保證IGBT的安全運行，這也是落木源產品的特點之一。
2、第二種測試方法
與第一種方法類似，只是不讓IGBT始終保持短路，用手工來短路A、B兩點。這種短路試驗比第一種更嚴酷，對驅動器的要求也更高，因為手工短路，不可能一下接實，實際是一連串的通斷過程。落木源的驅動器可以保證您的IGBT的安全。
注意：實驗時一定注意人身安全，最好在工頻輸入處加一個隔離變壓器。
最佳化IGBT電路保護
下文將突破傳統的保護方式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。IGBT失效場合：來自系統內部，如電力系統分布的雜散電感、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統外部，如電網波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底，IGBT失效主要是由集電極和發射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
IGBT失效機理：IGBT由於上述原因發生短路，將產生很大的瞬態電流——在關斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在，將導致IGBT集電極過電壓，而在器件內部產生擎住效應，使IGBT鎖定失效。同時，較高的過電壓會使IGBT擊穿。IGBT由於上述原因進入放大區,使管子開關損耗增大。
IGBT傳統防失效機理：儘量減少主電路的布線電感量和電容量，以此來減小關斷過電壓;在集電極和發射極之間，放置續流二極體，並接RC電路和RCD電路等;在柵極，根據電路容量合理選擇串接阻抗，並接穩壓二極體防止柵極過電壓。
IGBT失效防護
1.集電極過電壓、過電流防護，以IGBT變頻調速電源主電路為例(圖1)。
以IGBT變頻調速電源主電路為例在集電極和發射極之間並接RC濾波電路，可有效地抑制關斷過電壓和開關損耗。但在實際套用中，由於DC電源前端的浪涌突波會使集電極過電壓，並使RC濾波電路部分的抑制效果生效，IGBT通常都會被擊穿或者短路。另外，在電機起動時，由於起動時的大電流，在主線路中分布的電感亦會造成較大程度的感應過電壓，使IGBT損壞。同時，電機勵磁造成的感應電動勢，對電路的破壞也相當地大——工程師們經常沒有考慮到這一點。
針對上述情況，浪涌突波部分可以用防雷電路進行防護(圖2)。瞬雷電子開發的藍寶寶浪涌抑制器(BPSS)，在雷擊方面既具有極大的過電流能力,又具有極低的殘壓。同時，針對電機部分，參照ISO7637的相關標準，該產品完全可以使用。而使用其他器件則不能同時達到上述兩種情況。具體問題有：壓敏電阻在ISO7637的長波(P5A)中容易失效，並且不宜長期使用;陶瓷放電管不能直接用於有源電路中，常因續流問題導致電路短路，並且抑制電壓過高。
防護(圖2)2.柵極過電壓、過電流防護
傳統保護模式：防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設定一些保護元件，如下圖的電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯的穩壓二極體V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有實現控制電路部分與被驅動的IGBT之間的隔離設計，以及設計適合柵極的驅動脈衝電路等。然而即使這樣，在實際使用的工業環境中，以上方案仍然具有比較高的產品失效率——有時甚至會超出5%。相關的實驗數據和研究表明：這和瞬態浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關係，而穩壓管在此的回響時間和耐電流能力遠遠不足，從而導致IGBT過熱而損壞。
新型保護模式：將傳統的穩壓管改為新型的瞬態抑制二極體(TVS)。一般柵極驅動電壓約為15V，可以選型SMBJ15CA。該產品可以通過IEC61000-4-5浪涌測試10/700US6kV。
TVS反應速度極快(達PS級)，通流能力遠超穩壓二極體(可達上千安培)，同時，TVS對靜電具有非常好的抑制效果。該產品可以通過IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測試。
將傳統電阻RG變更為正溫度係數(PPTC)保險絲。它既具有電阻的效果，又對溫度比較敏感。當內部電流增加時，其阻抗也在增加，從而對過流具有非常好的抑制效果。
對比