電晶體截止區電晶體截止區
在晶體三極體中,Vbe<Von(開啟電壓)的區域稱為 電晶體截止區.
在此區域內,IB=0,Ic幾乎等於0，僅有極微小的反向穿透電流Iceo流過.矽三極體的Iceo通常都在1μA以下.
截止區和放大區,飽和區為晶體三極體輸出三大特性區域.
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