電晶體飽和區

電晶體飽和區

當三極體的集電結電流IC增大到一定程度時,再增大Ib,Ic也不會增大,超出了放大區,進入了飽和區。飽和時,Ic最大,集電極和發射之間的內阻最小,電壓Uce只有0.1V~0.3V,Uce

電晶體飽和區

在晶體三極體中,發射結正偏,集電結也正偏,集電極電流不受基極電流控制的區域,就是 電晶體飽和區.

在此區域內,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V .

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