電晶體飽和區
在晶體三極體中,發射結正偏,集電結也正偏,集電極電流不受基極電流控制的區域,就是 電晶體飽和區.
在此區域內,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V .
當三極體的集電結電流IC增大到一定程度時,再增大Ib,Ic也不會增大,超出了放大區,進入了飽和區。飽和時,Ic最大,集電極和發射之間的內阻最小,電壓Uce只有0.1V~0.3V,Uce
電晶體飽和區
在晶體三極體中,發射結正偏,集電結也正偏,集電極電流不受基極電流控制的區域,就是 電晶體飽和區.
在此區域內,VCE<VBE,βIB>IC,VCE≈0.3V .
電晶體(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關,能夠基於輸入電壓控...
定義 簡述 歷史 發展 里程碑電晶體(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關,能夠基於輸入電壓控...
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定義 簡述 歷史 發展 里程碑雙極性電晶體(英語:bipolar transistor),全稱雙極性結型電晶體(bipolar junction transistor, BJT),俗...
簡介 基本原理 發展套用 分析方法 結構電晶體截止區 電晶體截止區在晶體三極體中,Vbe Von(開啟電壓)的區域稱為 電晶體截止區.在此區域內,IB=0,Ic幾乎等於0,僅有.... [1]截止區和放大區,飽和區為晶體三極體輸出三大特性區域. ...
電晶體-電晶體邏輯電路(transistor-transistor logic)。積體電路輸入級和輸出級全採用電晶體組成的單元門電路。簡稱TTL電路。它...
簡介 早期 發展mos電晶體,金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的電晶體簡稱MOS電晶體,有MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路。
產品介紹 開通過程 影響因素 轉移特性 襯底偏置效應簡介 使功率電晶體按信號要求導通或截止的基極控制電路。用於控制電力電子電路中的功率電晶體的通斷。在電力電子電路中,功率電晶體均作開關元件使用,因所控制的...
功率電晶體的特性 功率電晶體的主要套用 功率電晶體的工作模式 功率電晶體的主要參數電力電晶體按英文Giant Transistor——GTR,是一種耐高電壓、大電流的雙極結型電晶體(Bipolar Junction Transisto...
電力電晶體簡介 電力電晶體的結構 電力電晶體工作原理 電力電晶體特點