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根據本發明的襯底拋光設備包括:可旋轉工作檯(12),其具有用於拋光半導體襯底(18)的拋光墊;光發射和接收裝置(80,82),其用於發射測量光,以使之穿過設定在拋光墊(16)上的通孔到達半導體襯底(18),並且接收來自半導體襯底(18)的反射光,以便測量該半導體襯底(18)上的薄膜;以及供給通道(44),其用於向測量光的通道供應流體。該供給通道(44)具有設定在通孔(84)中的出口部分。
襯底拋光設備,其將諸如半導體晶片的襯底表面拋光至平坦鏡面光潔度。
根據本發明的襯底拋光設備包括:可旋轉工作檯(12),其具有用於拋光半導體襯底(18)的拋光墊;光發射和接收裝置(80,82),其用於發射測量光,以使之穿過設定在拋光墊(16)上的通孔到達半導體襯底(18),並且接收來自半導體襯底(18)的反射光,以便測量該半導體襯底(18)上的薄膜;以及供給通道(44),其用於向測量光的通道供應流體。該供給通道(44)具有設定在通孔(84)中的出口部分。
。氧化鈰與 矽酸鹽玻璃的化學活性較高,硬度也相當,因此廣泛用於玻璃的拋光。為了增加氧化鈰的拋光速度,通常在氧化鈰拋光粉加入氟以增加磨削率。鈰含量較低...形態,破碎時形成銳利的尖角,以提高拋光效率;(5)有合適的硬度和密度,和水...
材料要求 顆粒度 選擇 現狀套用 加工生產(通常為 SiO )實現了器件和襯底的全介質隔離,在器件性能上具有以下優點...)抑制了襯底的脈衝電流干擾,減少了軟錯誤的發生;5)與現有矽工藝兼容,可減少13—20%的工序。SOI在高性能超大規模積體電路、高速存貯設備...
簡介 發展歷史 優缺點 製備技術 套用領域磨削、研磨、拋光多種作用的複合加工工藝。 砂帶上的磨粒比砂輪磨粒具有...磨削工件表面質量高。這除了因其具有磨削、研磨和拋光的多重作用外,還因為...帶磨削成本低。這主要表現在: 砂帶磨削設備簡單。與砂輪磨床相比,砂帶...
簡介 砂帶 磨料磨具 砂紙砂帶的基本知識性質與粒度對研磨拋光有什麼影響?1125.磨料懸浮液的濃度和給料量對研磨有...使用時,需要注意哪些問題?1437.玻璃磨邊操作規程是什麼?14三、玻璃拋光1438.什麼是玻璃拋光?有哪些方法?1439.什麼是機械拋光?如何進行...
內容簡介 編輯推薦 目錄 序言。 絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量...、作參考面、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。 在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相...
基本簡介 主要種類 實際運用 寬頻隙半導體材料 低維半導體材料半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶...、切片、磨片、倒角、拋光、腐蝕、清洗、檢測、封裝等全部或部分工序以提供相應的晶片。在單晶襯底上生長單晶薄膜稱為外延。外延的方法有氣相、液相、固相...
簡介 主要種類 新型材料 實際運用 相關材料的通量、能量和轟擊時間來表示。 核靶類別 分為自支撐靶、有襯底靶和氣體...(靶框)支撐著。其優點是沒有襯底材料的干擾。 有襯底靶 有的靶物質...才能形成所需要的核靶。這種靶稱為有襯底靶。用來支撐靶膜的金屬片或薄膜稱為...
核靶製備技術 正文 配圖 相關連線拋光後進行隱埋層氧化, 在矽片表面生成厚約1微米的氧化膜,然後經光刻在氧化...的雜質穿透外延層,形成強P型(P )的隔離槽與P型襯底相連把整個N型外延片...的優點是方法簡單,易於製造,無需特殊技術和製造設備,成本低而同時又能基本上...
簡介 特點 襯底材料的選擇 PN結隔離改進電池、薄膜電池、新型電池和組件、生產設備、輔助材料、系統集成及政策法規...的製備及其電學性能 超純氨雜質分析 矽塊表面拋光對切割良率及碎片率...在柔性襯底太陽電池中的套用 射頻激發熱絲化學氣相沉積製備矽薄膜過程中光...
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