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絕緣體上矽
絕緣體上矽，在整個行業向新一代半導體器件的衍變過程中，晶片製造商面臨著嚴峻的挑戰。具體的講，生產高性能晶片的製造商面臨的挑戰來自對速度更快、溫度更低的芯...
結構 基於SOI的器件 SOI 晶圓的製造 高級的工程基板 -
SOI[矽技術]
SOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的矽，該技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。
簡介 發展歷史 結構功能 材料種類 套用範圍 -
SOI
根據在絕緣體上的矽膜厚度將SOI分成薄膜全耗盡FD（Fully...襯底上的矽）技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導體薄膜，SOI材料具有了體矽所無法比擬的優點：可以實現積體電路中元...
總述 薄膜全耗盡FDSOI 注氧隔離的SIMOX -
絕緣體
不善於傳導電流的物質稱為絕緣體（Insulator），絕緣體又稱為電介質。它們的電阻率極高。絕緣體的定義：不容易導電的物體叫做絕緣體。 絕緣體和導體，沒...
基本釋義 結構 原理 種類 製備 -
SOI：納米技術時代的高端矽基材料
SOI：納米技術時代的高端矽基材料，圖書，作者是林成魯，由科技大學出版。
內容簡介 出版信息 目錄 -
SOI材料
SOI材料是新型矽基積體電路材料的簡稱。
功能 介紹 -
SOI[圖書名稱]
《SOI:納米技術時代的高端矽基材料》是中國科學技術大學出版社於2009年6月出版圖書。
出版信息 內容簡介 作者簡介 -
藍寶石上外延矽工藝
藍寶石上外延矽工藝是在藍寶石片上外延生長一層矽薄膜以製作半導體積體電路的技術，簡稱 SOS。
詳細介紹 分類 工藝特點 優缺點 -
矽納米線
矽納米線是一種新型的一維半導體納米材料，線體直徑一般在10 nm 左右，內晶核是單晶矽，外層有一SiO2 包覆層。
1概述 2製備技術 3矽納米線納米電子器件 -
全耗盡型SOI
SOI工藝實現了優異的介質隔離，消除了體矽CMOS電路固有Latch-up 效應，同時具有寄生電容小、集成度高、漏電流小等優點。SOI CMOS器件的橫...
